| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-8页 |
| 第二章 高真空环境 | 第8-14页 |
| ·气体分子平均自由程 | 第8-10页 |
| ·单层覆盖时间 | 第10-12页 |
| ·本实验超高真空环境的获得 | 第12-14页 |
| 第三章 分子束外延 | 第14-25页 |
| ·分子束外延原理及设备 | 第14-15页 |
| ·系统组成 | 第15-17页 |
| ·真空旋转样品操作台 | 第15-16页 |
| ·分子束源炉 | 第16页 |
| ·束流监控器 | 第16页 |
| ·计算机控制系统 | 第16-17页 |
| ·RHEED | 第17-20页 |
| ·工作原理 | 第17-18页 |
| ·RHEED在测量外延生长速率中的应用 | 第18-19页 |
| ·与RHEED相关样品盘的改造 | 第19-20页 |
| ·As压校准 | 第20-25页 |
| ·砷坩锅的结构及工作原理 | 第21-22页 |
| ·砷压校准方法 | 第22页 |
| ·实验结果及分析 | 第22-24页 |
| ·校准结论 | 第24-25页 |
| 第四章 扫描隧道显微镜 | 第25-37页 |
| ·扫描隧道显微镜原理及组成 | 第25-26页 |
| ·扫描隧道显微镜调试 | 第26-31页 |
| ·低温扫描隧道显微镜(LT-STM)的结构特点 | 第27-28页 |
| ·仪器的安装及样品和探针的装入 | 第28页 |
| ·LT-STM的烘烤 | 第28-29页 |
| ·LT-STM的扫描成像调试 | 第29-30页 |
| ·LT-STM探针的清洗 | 第30-31页 |
| ·STM探针电极腐蚀装置 | 第31-37页 |
| ·探针电化学腐蚀原理 | 第31页 |
| ·自制STM探针电化学腐蚀装置及实验方法 | 第31-33页 |
| ·实验研究及结果分析 | 第33-35页 |
| ·结论 | 第35-37页 |
| 第五章 表面形貌的相变过程 | 第37-55页 |
| ·GaAs和InGaAs表面重构 | 第37-43页 |
| ·GaAs(001)的表面重构 | 第37-40页 |
| ·基于CaAs(001)的表面重构相变的衬底温度校准 | 第40-41页 |
| ·InGaAs表面重构 | 第41-43页 |
| ·表面形貌的相变模型 | 第43-47页 |
| ·有序-无序转变、艾辛模型和格气模型 | 第44-45页 |
| ·RSOS模型 | 第45-46页 |
| ·粗糙化与预粗糙化 | 第46-47页 |
| ·实验方案及分析 | 第47-55页 |
| ·样品清洗 | 第48页 |
| ·样品脱氧化 | 第48-50页 |
| ·样品生长及退火 | 第50-51页 |
| ·实验结果及分析 | 第51-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参加科研情况 | 第61-62页 |