| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·GaAs材料和薄膜生长 | 第6-10页 |
| ·GaAs材料的基本性质 | 第6-8页 |
| ·GaAs薄膜生长 | 第8-10页 |
| 第二章 实验方法 | 第10-36页 |
| ·超高真空系统(Ultra-high vacuum) | 第10-14页 |
| ·平均自由程 | 第10-11页 |
| ·单层覆盖时间 | 第11-14页 |
| ·分子束外延系统(Molecular Beam Epitaxy) | 第14-27页 |
| ·MBE的基本原理 | 第14-15页 |
| ·砷蒸气压的校准 | 第15-19页 |
| ·RHEED的工作原理 | 第19-20页 |
| ·高能电子衍射(RHEED)对生长过程和生长速率的监测 | 第20-23页 |
| ·衬底温度的测量 | 第23-25页 |
| ·与RHEED相关的样品盘改造 | 第25-27页 |
| ·扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope) | 第27-32页 |
| ·扫描隧道显微镜的原理 | 第27-28页 |
| ·电化学腐蚀装置的设计、制备STM探针 | 第28-31页 |
| ·扫描隧道显微镜的结构和工作模式 | 第31-32页 |
| ·MBE与STM的联合系统 | 第32-36页 |
| 第三章 粗糙化和自发岛形成的动态过程批 | 第36-48页 |
| ·表面重构 | 第36-38页 |
| ·相变 | 第38-43页 |
| ·艾辛模型 | 第39-42页 |
| ·表面粗糙化的理论模型 | 第42-43页 |
| ·GaAs(001)表面粗糙化动态过程 | 第43-48页 |
| ·研究意义 | 第43-44页 |
| ·实验过程 | 第44页 |
| ·实验结果 | 第44-46页 |
| ·实验讨论 | 第46-48页 |
| 第四章 临界减慢描述GaAs表面自发岛形成的动态过程 | 第48-55页 |
| ·临界减慢理论背景 | 第48-49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·总结动态过程和临界减慢 | 第50-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和参加科研情况 | 第60-61页 |
