| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·纳晶硅的研究意义和研究现状 | 第7-9页 |
| ·本文研究内容和安排 | 第9-11页 |
| 第二章 脉冲激光沉积系统及纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的制备 | 第11-16页 |
| ·脉冲激光烧蚀和脉冲激光沉积 | 第11-13页 |
| ·脉冲激光烧蚀(PLA) | 第11-12页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第12-13页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的制备原理及工艺 | 第13-16页 |
| ·脉冲激光沉积SiO_x薄膜 | 第13-14页 |
| ·SiO_x薄膜沉积后热退火处理原理及工艺 | 第14-16页 |
| 第三章 纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的发光特性和结构表征 | 第16-28页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的发光和结构 | 第16-20页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的光致发光 | 第16-17页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的拉曼散射谱 | 第17-18页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的傅立叶红外变换光谱 | 第18-19页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的透射光谱 | 第19-20页 |
| ·制备条件对纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的发光和结构的影响 | 第20-26页 |
| ·背景氧压的影响 | 第20-23页 |
| ·退火温度的影响 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-28页 |
| 第四章 纳秒脉冲激光烧蚀硅等离子体的光谱诊断 | 第28-45页 |
| ·光谱诊断法简介和物理基础 | 第28-30页 |
| ·光谱诊断法的实验装置 | 第30-31页 |
| ·硅等离子体的产生与演变 | 第31-43页 |
| ·硅等离子体的演变图像 | 第31-36页 |
| ·时间积分光谱 | 第36-39页 |
| ·时间分辨光谱 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 双激光双靶共烧蚀制备纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜 | 第45-51页 |
| ·双激光双靶共烧蚀制备纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的方法和装置 | 第45-46页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的光致发光 | 第46-47页 |
| ·纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜的结构表征 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 后记 | 第59-60页 |
