基于IDDT信息的RFIC管级故障建模与测试矢量研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·本文研究的背景和意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究的现状 | 第10-12页 |
| ·本文的工作 | 第12页 |
| ·本文的结构安排 | 第12-13页 |
| 第二章 集成电路测试 | 第13-26页 |
| ·集成电路测试的理论 | 第13-18页 |
| ·测试基本概念 | 第13-14页 |
| ·测试的基本分类 | 第14页 |
| ·错误和故障 | 第14-15页 |
| ·故障模拟 | 第15-17页 |
| ·测试生成 | 第17页 |
| ·可测性设计 | 第17-18页 |
| ·集成电路测试技术 | 第18-22页 |
| ·电压测试技术 | 第18-19页 |
| ·电流的测试方法 | 第19-22页 |
| ·静态电流(IDDQ)测试 | 第19-20页 |
| ·动态电流(IDDT)测试 | 第20-22页 |
| ·动态电流测试方法 | 第22-24页 |
| ·各种信号处理的比较 | 第24-26页 |
| 第三章 故障模型和仿真实验 | 第26-37页 |
| ·故障模型 | 第26-30页 |
| ·固定故障 | 第27页 |
| ·延时故障 | 第27页 |
| ·桥接型故障 | 第27-28页 |
| ·开路故障 | 第28-29页 |
| ·暂时失效 | 第29-30页 |
| ·仿真工具PSpice 的简介 | 第30-32页 |
| ·电路故障仿真 | 第32-37页 |
| ·故障模拟 | 第34页 |
| ·实验数据分析 | 第34-37页 |
| 第四章 高频FET 管级建模及仿真 | 第37-62页 |
| ·FET 管的基本概念 | 第37-40页 |
| ·JFET 的结构和工作条件 | 第38-39页 |
| ·金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET) | 第39-40页 |
| ·高频场效应管(FET)工作特征 | 第40-41页 |
| ·高频FET 管级建模 | 第41-43页 |
| ·高频FET 参数的提取 | 第43-50页 |
| ·寄生参数的提取 | 第44-48页 |
| ·串联电阻Rs,Rd,Rg 的提取 | 第44-46页 |
| ·寄生电感Ls,Ld,Lg 的提取 | 第46-47页 |
| ·寄生电容Cpg 和Cpd 的提取 | 第47-48页 |
| ·本征参数的确定 | 第48-50页 |
| ·仿真实验 | 第50-52页 |
| ·动态电流IDDT 测试 | 第52-53页 |
| ·平均动态电流理论 | 第53-54页 |
| ·平均电流的概念 | 第53页 |
| ·平均动态电流的计算 | 第53-54页 |
| ·FET 管级故障IDDT 仿真实验 | 第54-61页 |
| ·实验数据分析 | 第57-58页 |
| ·数据结果分析 | 第58-61页 |
| ·实验结果与结论 | 第61-62页 |
| 第五章 结论和展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
