载流子色散型硅基光波导器件研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 目次 | 第10-12页 |
| 图目录 | 第12-15页 |
| 表目录 | 第15-16页 |
| 1 绪论 | 第16-34页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·硅基光子学的发展现状 | 第18-22页 |
| ·硅基光子学的发展趋势 | 第22-24页 |
| ·本论文的意义和内容 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-34页 |
| 2 硅基载流子色散效应及器件电学结构设计 | 第34-52页 |
| ·硅基载流子色散效应理论基础 | 第34-37页 |
| ·器件电学结构设计及仿真分析 | 第37-49页 |
| ·常见的电学结构 | 第37-41页 |
| ·pin结设计 | 第41-42页 |
| ·基于pin结的仿真分析 | 第42-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 3 基于pin结的硅光波导器件设计及制作 | 第52-76页 |
| ·基本光波导结构 | 第52-57页 |
| ·多模干涉器件 | 第52-55页 |
| ·马赫-曾德尔干涉仪 | 第55-56页 |
| ·光栅耦合器 | 第56-57页 |
| ·光功能器件设计及版图 | 第57-63页 |
| ·基于MZI的调制器及光开关设计 | 第58-60页 |
| ·光栅耦合器设计 | 第60-62页 |
| ·版图 | 第62-63页 |
| ·工艺流程设计 | 第63-65页 |
| ·制作结果及测试结果 | 第65-71页 |
| ·制作结果 | 第65-66页 |
| ·测试系统 | 第66-68页 |
| ·测试结果 | 第68-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 4 基于pin-MZI结构的硅光子器件的性能分析 | 第76-98页 |
| ·引言 | 第76-77页 |
| ·载流子吸收对消光比的影响 | 第77-84页 |
| ·理论及仿真分析 | 第77-82页 |
| ·实验结果及讨论 | 第82-84页 |
| ·重掺杂区位置对器件性能的影响 | 第84-93页 |
| ·重掺杂区引起的吸收损耗 | 第84-85页 |
| ·重掺杂区位置对器件散热的影响 | 第85-88页 |
| ·重掺杂区位置对器件消光比的影响 | 第88-89页 |
| ·重掺杂区位置对器件速度的影响 | 第89-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 5 硅波导中光电流效应的实验研究 | 第98-118页 |
| ·引言 | 第98-100页 |
| ·物理机理描述 | 第100-103页 |
| ·表面态吸收 | 第100页 |
| ·缺陷态吸收 | 第100-101页 |
| ·双光子吸收 | 第101-103页 |
| ·pin硅波导中光电流效应的实验研究 | 第103-106页 |
| ·pn硅波导中光电流效应的实验研究 | 第106-110页 |
| ·光生载流子对基于反偏pn结的硅光调制器的影响 | 第110-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 参考文献 | 第114-118页 |
| 6 总结与展望 | 第118-122页 |
| ·总结 | 第118-119页 |
| ·本文存在的不足及展望 | 第119-122页 |
| 作者简历及攻读博士学位期间的研究成果 | 第122-123页 |
| 个人简历 | 第122页 |
| 攻读博士学位期间所取得的研究成果 | 第122-123页 |
