| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 太阳能电池绪论 | 第11-13页 |
| 1.1.1 太阳能电池基本原理 | 第11-12页 |
| 1.1.2 太阳能电池基本参数 | 第12-13页 |
| 1.2 Cu_2Zn Sn(S,Se)_4(CZTSSe)太阳能电池简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 CZTSSe吸收层薄膜材料的基本性质 | 第13-15页 |
| 1.2.2 CZTSSe太阳能电池的基本结构 | 第15-17页 |
| 1.3 CZTSSe太阳能电池的研究进展 | 第17页 |
| 1.4 CZTSSe太阳能电池器件中存在的主要问题 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的选题依据和研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 CZTSSe薄膜的制备方法与表征手段 | 第20-25页 |
| 2.1 CZTSSe薄膜的制备方法 | 第20-21页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶 | 第20页 |
| 2.1.2 硫硒化热处理 | 第20-21页 |
| 2.2 CZTSSe薄膜的表征手段 | 第21-25页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第21-22页 |
| 2.2.2 拉曼光谱(Raman spectra) | 第22页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜测试(SEM) | 第22-23页 |
| 2.2.4 X射线能量色谱仪(EDS) | 第23页 |
| 2.2.5 霍尔效应测试(Hall-effect) | 第23页 |
| 2.2.6 X射线光电子能谱(XPS) | 第23-24页 |
| 2.2.7 透射电子显微镜(TEM) | 第24页 |
| 2.2.8 紫外可见分光光度计(UV-Vis) | 第24-25页 |
| 第三章 In掺杂含量对Cu_2In_x Zn_(1-x) Sn(S,Se)_4 薄膜的结构及光电性能影响 | 第25-46页 |
| 3.1 In掺杂含量对硫化退火气氛下制备的Cu_2In_x Zn_(1-x) SnS_4薄膜结构和光电性能的影响 | 第25-34页 |
| 3.1.1 引言 | 第25页 |
| 3.1.2 实验步骤 | 第25-26页 |
| 3.1.3 结果与讨论 | 第26-34页 |
| 3.2 In掺杂含量对硒化退火气氛下制备的Cu_2In_x Zn_(1-x) Sn(S,Se)_4 薄膜结构和光电性能的影响 | 第34-45页 |
| 3.2.1 实验步骤 | 第34-35页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第35-45页 |
| 3.3 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章：退火温度和时间对Cu_2In_x Zn_(1-x) SnS_4薄膜结构和光电性能的影响 | 第46-59页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验步骤 | 第46-47页 |
| 4.2.1 不同硫化温度及时间的Cu_2In_x Zn_(1-x) SnS_4薄膜 | 第46页 |
| 4.2.2 CZTS和Cu_2In_x Zn_(1-x) SnS_4电池的制备 | 第46页 |
| 4.2.3 材料表征 | 第46-47页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第47-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章：In掺杂对Cu_2In_x Zn_(1-x) Sn(S,Se)_4 薄膜性能及其太阳能电池转 | 第59-70页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 实验方法 | 第59-60页 |
| 5.2.1.铟掺杂的CZTSSe薄膜 | 第59-60页 |
| 5.2.2.电池的合成 | 第60页 |
| 5.2.3.薄膜和器件的表征 | 第60页 |
| 5.3. 结果与讨论 | 第60-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的主要科研成果 | 第78-80页 |
| 后记 | 第80页 |
