近阈值电压下Cache容错性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 近阈值电压技术概述 | 第10-15页 |
| 1.2.1 CMOS电路功耗分析 | 第10-11页 |
| 1.2.2 近阈值电压技术 | 第11-13页 |
| 1.2.3 SRAM单元失效分析 | 第13-15页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第15-20页 |
| 1.3.1 电路级SRAM结构研究 | 第15-16页 |
| 1.3.2 体系结构级Cache可靠性研究 | 第16-20页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第20-22页 |
| 1.5 本文的组织结构 | 第22-24页 |
| 第2章 基于压缩的可容错末级缓存研究 | 第24-42页 |
| 2.1 研究动机 | 第24-26页 |
| 2.2 末级缓存结构设计 | 第26-33页 |
| 2.2.1 整体结构与工作流程 | 第26-27页 |
| 2.2.2 压缩模块设计 | 第27-30页 |
| 2.2.3 纠正模块实现 | 第30-33页 |
| 2.2.4 替换策略 | 第33页 |
| 2.3 评估方法 | 第33-35页 |
| 2.4 实验结果分析 | 第35-41页 |
| 2.4.1 Cache容量可用率 | 第35-37页 |
| 2.4.2 访存缺失率分析 | 第37-38页 |
| 2.4.3 性能分析 | 第38-39页 |
| 2.4.4 面积开销分析 | 第39-40页 |
| 2.4.5 能耗分析 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 基于映射的可容错一级缓存研究 | 第42-64页 |
| 3.1 研究动机 | 第42-44页 |
| 3.2 一级缓存结构设计 | 第44-56页 |
| 3.2.1 位纠正策略 | 第44-46页 |
| 3.2.2 块映射与选择策略 | 第46-50页 |
| 3.2.3 缓存结构初始化 | 第50-52页 |
| 3.2.4 Cache结构设计 | 第52-56页 |
| 3.3 评估方法 | 第56-58页 |
| 3.4 实验结果分析 | 第58-63页 |
| 3.4.1 Cache容量可用率 | 第58-59页 |
| 3.4.2 访存缺失率分析 | 第59-60页 |
| 3.4.3 性能分析 | 第60-61页 |
| 3.4.4 面积开销分析 | 第61-62页 |
| 3.4.5 能耗分析 | 第62-63页 |
| 3.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第4章 可重构的容错缓存研究 | 第64-90页 |
| 4.1 研究动机 | 第64-65页 |
| 4.2 可重构的一级缓存结构设计 | 第65-73页 |
| 4.2.1 一级缓存框架与结构 | 第65-68页 |
| 4.2.2 一级缓存升压替换策略 | 第68-71页 |
| 4.2.3 一级缓存降压替换策略 | 第71-73页 |
| 4.3 可重构的末级缓存结构设计 | 第73-81页 |
| 4.3.1 末级缓存框架与结构 | 第74-78页 |
| 4.3.2 末级缓存升压替换策略 | 第78-80页 |
| 4.3.3 末级缓存降压替换策略 | 第80-81页 |
| 4.4 评估方法 | 第81-83页 |
| 4.5 实验结果分析 | 第83-88页 |
| 4.5.1 额定电压下的性能分析 | 第83-84页 |
| 4.5.2 近阈值电压下的性能分析 | 第84-86页 |
| 4.5.3 额定电压下的功耗分析 | 第86-87页 |
| 4.5.4 近阈值电压下的功耗分析 | 第87-88页 |
| 4.5.5 面积开销分析 | 第88页 |
| 4.6 本章小结 | 第88-90页 |
| 第5章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第90-91页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 攻读学位期间获得与学位论文相关的科研成果目录 | 第97页 |
