| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-24页 |
| ·薄膜晶体管的基本理论 | 第10-15页 |
| ·薄膜晶体管的典型结构 | 第10-12页 |
| ·薄膜晶体管的工作原理 | 第12-13页 |
| ·性能参数分析 | 第13-15页 |
| ·薄膜晶体管的发展历史 | 第15-18页 |
| ·薄膜晶体管的分类和应用 | 第18-22页 |
| ·薄膜晶体管的分类 | 第18-21页 |
| ·薄膜晶体管的应用 | 第21-22页 |
| ·本文的研究背景和研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 氧化物薄膜晶体管的相关工艺和测试技术 | 第24-32页 |
| ·薄膜晶体管衬底的清洗 | 第24-25页 |
| ·薄膜制备技术 | 第25-30页 |
| ·真空蒸发沉积技术 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射沉积技术 | 第26-28页 |
| ·化学气相沉积技术 | 第28-30页 |
| ·TFT器件测试技术 | 第30-31页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第30页 |
| ·半导体参数测试仪 | 第30页 |
| ·阻抗分析仪 | 第30-31页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第3章 基于Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3栅介质的低压薄膜晶体管 | 第32-41页 |
| ·低压氧化物薄膜晶体管理论 | 第32-33页 |
| ·BST栅介质性能分析 | 第33-36页 |
| ·沉积温度对BST薄膜性能的影响 | 第34-35页 |
| ·本实验室制备的BST薄膜性能 | 第35-36页 |
| ·BST TFT的结构和性能分析 | 第36-40页 |
| ·BST TFT结构和制备过程 | 第36-37页 |
| ·器件的性能 | 第37-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第4章 基于微孔SiO_2栅介质的低压薄膜晶体管 | 第41-48页 |
| ·微孔SiO_2的性能 | 第41-43页 |
| ·双电层的理论 | 第41-42页 |
| ·微孔SiO_2栅介质的性质 | 第42-43页 |
| ·基于微孔SiO_2栅介质的薄膜晶体管的性能 | 第43-47页 |
| ·器件结构和工艺 | 第43-44页 |
| ·AZO沟道层的性能 | 第44-45页 |
| ·器件的输出特性和传输特性 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-54页 |
| 附录A (攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |