| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第11-12页 |
| ·课题的相关研究现状 | 第12-14页 |
| ·论文的主要工作与创新 | 第14-15页 |
| 第二章 纳米交叉结构阻变存储单元概述 | 第15-21页 |
| ·阻变双稳态器件的电学特性概述 | 第15-18页 |
| ·阻变存储器件的类型和特性 | 第15-16页 |
| ·阻变双稳态特性的定义与读写机制 | 第16-17页 |
| ·阻变存储单元的性能指标 | 第17-18页 |
| ·纳米交叉结构的制备及其电学特性测试表征 | 第18-20页 |
| ·纳米集成阵列的制备方式概述 | 第18-19页 |
| ·阻变双稳态单元的电学特性测试表征 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 纳米交叉结构阻变存储单元的建模与分析 | 第21-33页 |
| ·现有的纳米交叉结构阻变器件的模型 | 第21-24页 |
| ·初步的数学分析模型 | 第21-22页 |
| ·导电细丝模型 | 第22-23页 |
| ·由现有元件组成的阻变器件宏模型 | 第23-24页 |
| ·纳米交叉结构阻变存储单元的行为级建模方式 | 第24-31页 |
| ·由测试数据进行电路抽象 | 第24-26页 |
| ·实验测试数据的函数拟合 | 第26-27页 |
| ·Verilog-A 语言建模 | 第27页 |
| ·Au/Ti_2O_5/Au 材质阻变器件模型分析 | 第27-28页 |
| ·Pt/Ti_2O_5/Al 材质阻变器件建模分析 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 阻变存储器读出放大电路的设计 | 第33-47页 |
| ·一般半导体存储器中的读出放大电路 | 第33-35页 |
| ·差分电压读出放大电路 | 第33-34页 |
| ·单端电压读出放大电路 | 第34页 |
| ·单端至差分读出放大电路 | 第34-35页 |
| ·利用负载电阻采样的阻变存储单元阵列读出放大电路设计 | 第35-38页 |
| ·理想情况下阻变存储单元阵列的读出放大电路 | 第35-36页 |
| ·考虑潜通路情况下阻变存储单元阵列的读出放大电路 | 第36-38页 |
| ·一种新型的阻变存储单元阵列读出放大电路设计 | 第38-45页 |
| ·潜通路与干扰电流的影响与分析 | 第38-39页 |
| ·电压敏感放大器电学特性分析 | 第39-40页 |
| ·电压敏感放大器采样读出放大电路的设计 | 第40-43页 |
| ·采样读出级电路的模拟与分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第五章 纳米交叉结构阻变存储器整体架构研究 | 第47-61页 |
| ·纳米交叉结构阻变存储器的译码器电路 | 第47-50页 |
| ·译码器电路的引入和分类 | 第47-48页 |
| ·传统的CMOS 译码器 | 第48页 |
| ·纳米场效应晶体管译码器 | 第48-50页 |
| ·阻变存储单元阵列的写操作实现方式 | 第50-52页 |
| ·数据并行写入产生的误写 | 第50-51页 |
| ·误写操作的消除方式 | 第51-52页 |
| ·阻变存储器的参考电压产生电路 | 第52-56页 |
| ·读操作参考电压产生电路 | 第53-54页 |
| ·通用参考电压产生电路 | 第54-56页 |
| ·纳米交叉结构阻变存储器的组成架构 | 第56-59页 |
| ·阻变存储器的总体结构和单元模块 | 第56-57页 |
| ·纳米导线和微米导线的连接方式 | 第57-59页 |
| ·阻变存储单元阵列的拓扑结构 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 结束语 | 第61-63页 |
| ·全文工作总结 | 第61页 |
| ·存在的不足 | 第61-62页 |
| ·未来工作展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第69页 |
