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几种氧化物介质材料的制备及其光催化与电学性能的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-13页
第一章 绪论第13-37页
   ·氧化物介质材料第13-15页
   ·光催化用氧化物介质材料的研究现状第15-21页
     ·光催化反应的基本原理第15-17页
     ·光催化材料第17-21页
   ·基于氧化物介质薄膜的阻变存储器研究第21-26页
   ·微波介质材料的研究现状第26-30页
   ·本论文工作的和研究内容第30-32页
 参考文献第32-37页
第二章 氧化物介质材料的制备工艺与表征第37-53页
   ·氧化物介质材料的制备工艺第37-39页
     ·柠檬法合成制备工艺第37-38页
     ·Sol-gel法制备薄膜第38-39页
     ·陶瓷的制备第39页
   ·微结构分析方法第39-40页
   ·材料的性能测试第40-50页
     ·半导体氧化物的光催化性能表征第40-42页
     ·氧化物介质材料的电学性能测试第42-46页
     ·陶瓷的微波测试方法和原理第46-50页
   ·其它测试第50-51页
 参考文献第51-53页
第三章 基于水溶性铌、钽前体的BiNbO_4、BiTaO_4粉末的制备及可见光催化性能研究第53-87页
   ·引言第53-54页
   ·过氧化柠檬酸铌、钽前体的合成第54-57页
   ·BiNbO_4粉末的制备及可见光催化性能第57-71页
     ·BiNbO_4粉末的制备与表征第57-62页
     ·BiNbO_4粉末的可见光催化性及机理研究第62-67页
     ·BiNbO_4粉末的催化性能优化第67-71页
   ·BiTaO_4粉末的制备及可见光催化性能第71-80页
     ·BiTaO_4粉末的制备及表征第71-75页
     ·BiTaO_4粉末的可见光催化性能及机理研究第75-77页
     ·BiTaO_4粉末的催化性能优化第77-80页
   ·BiNbO_4与BiTaO_4的可见光催化性能的比较第80-81页
   ·本章小结第81-83页
 参考文献第83-87页
第四章 BiNbO_4粉末的相变与陶瓷的介电性能研究第87-107页
   ·引言第87-88页
   ·BiNbO_4粉末的相变与表征第88-93页
   ·BiNbO_4粉末的相变机理第93-97页
     ·Low-β相的形成原因第93-94页
     ·BiNbO_4粉末的相变机理第94-95页
     ·Low-β相的稳定性第95-97页
   ·铌酸铋(BNO)陶瓷的介电性能研究第97-104页
     ·BiNbO_4陶瓷的制备第97-98页
     ·铌酸铋(BNO)陶瓷的结构、形貌和介电性能第98-104页
     ·铌酸铋(BNO)陶瓷的微波性能第104页
   ·本章小结第104-106页
 参考文献第106-107页
第五章 ZrO_2薄膜的制备和阻变性能研究第107-123页
   ·引言第107页
   ·ZrO_2薄膜的制备和表征第107-111页
   ·基于Pt/非晶ZrO_2薄膜/Pt结构的阻变性能第111-115页
     ·Pt/非晶ZrO_2薄膜/Pt的电学性质表征第111-113页
     ·Pt/非晶ZrO_2薄膜/Pt的阻变机制的研究第113-115页
   ·基于Cu/ZrO_2薄膜/Pt结构的阻变性能第115-120页
     ·Cu/非晶ZrO_2薄膜/Pt的电学性能表征第115-118页
     ·退火气氛对Cu/结晶ZrO_2薄膜/Pt的阻变特性影响第118-120页
   ·本章小结第120-121页
 参考文献第121-123页
第六章 B位优化的Pb_(0.4)Sr_(0.6)(Zr,Ti)O_3薄膜的制备与电可调性能研究第123-137页
   ·引言第123-124页
   ·溶胶-凝胶法制备Pb_(0.4)Sr_(0.6)(Zr,Ti)O_3薄膜第124-125页
   ·Zr/Ti含量对Pb_(0.4)Sr_(0.6)(Zr,Ti)O_3薄膜结构和性能的影响第125-132页
     ·XRD分析第125-126页
     ·介电温谱第126-129页
     ·电可调性能第129-132页
   ·Pb_(0.4)Sr_(0.6)Zr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的温度稳定性第132-133页
   ·本章小结第133-135页
 参考文献第135-137页
第七章 结论与展望第137-141页
   ·结论第137-139页
   ·今后工作展望第139-141页
Publication List第141-145页
致谢第145-146页

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