| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-41页 |
| ·突触 | 第10-13页 |
| ·突触简介 | 第10-12页 |
| ·突触可塑性 | 第12-13页 |
| ·忆阻器 | 第13-28页 |
| ·忆阻的提出 | 第13-16页 |
| ·忆阻元器件的实现 | 第16-21页 |
| ·HP忆阻模型 | 第21-24页 |
| ·4双极性阻变与忆阻 | 第24-28页 |
| ·忆阻系统对突触一些功能的模拟 | 第28-31页 |
| ·本论文工作的意义、目的和内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-41页 |
| 第二章 M/I/M结构忆阻器接触势垒以及器件中基本电导机制 | 第41-47页 |
| ·半导体与金属接触势垒 | 第41-43页 |
| ·半导体中的基本电导机制 | 第43-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第三章 基于活性电极电化学反应的Ti/Al_2O_3/Pt结构忆阻行为研究 | 第47-71页 |
| ·Ti/Al_2O_3/Pt忆阻原型器件的制备 | 第48-53页 |
| ·Al_2O_3薄膜的ALD制备 | 第48-51页 |
| ·电极Ti的PLD制备 | 第51-53页 |
| ·制备器件的结构表征 | 第53-54页 |
| ·器件的电学行为表征以及行为分析 | 第54-62页 |
| ·器件忆阻特性表征 | 第54-55页 |
| ·器件行为分析 | 第55-59页 |
| ·器件失效行为以及原理分析 | 第59-60页 |
| ·微结构和化学成分的实验分析 | 第60-62页 |
| ·Crossbar结构器件制备 | 第62-66页 |
| ·忆阻器件集成方式 | 第62-64页 |
| ·Crossbar结构器件制备 | 第64-66页 |
| ·制备器件功能测试 | 第66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第四章 基于铁电/金属结整流效应的Pt/LiNbO_3/Pt忆阻行为研究 | 第71-93页 |
| ·器件的制备 | 第71-77页 |
| ·LN铁电薄膜的PLD制备及其性质表征 | 第72-75页 |
| ·Pt上电极的磁控溅射制备 | 第75-77页 |
| ·电学行为表征 | 第77-85页 |
| ·铁电异质结的整流效应 | 第77-79页 |
| ·忆阻行为测试与分析 | 第79-83页 |
| ·系统状态的弛豫现象 | 第83-85页 |
| ·氧空位迁移率的表征 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第五章 结论与展望 | 第93-97页 |
| ·结论 | 第93-94页 |
| ·今后工作展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-97页 |
| Publication list | 第97-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
