| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-31页 |
| 1.1 选题背景 | 第13-15页 |
| 1.2 自卷曲微米管及相关器件的研究现状 | 第15-23页 |
| 1.3 论文结构与安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 半导体自卷曲微米管外延生长、制备及表征设备 | 第31-44页 |
| 2.1 半导体自卷曲微米管外延材料生长设备 | 第31-33页 |
| 2.2 半导体自卷曲微米管工艺加工设备 | 第33-37页 |
| 2.3 半导体自卷曲微米管测试表征设备 | 第37-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第三章 管壁嵌入InAs量子点的自卷曲微米管谐振腔的研究 | 第44-66页 |
| 3.1 量子点简介和微米管外延结构生长 | 第44-46页 |
| 3.2 管壁嵌入InAs量子点的自卷曲微米管谐振腔的制备 | 第46-53页 |
| 3.3 管壁嵌入InAs量子点的自卷曲微米管谐振腔的分析 | 第53-55页 |
| 3.4 管外边缘引入轴向限制的InAs量子点自卷曲微米管谐振腔的制备 | 第55-59页 |
| 3.5 管外边缘引入轴向限制的InAs量子点的自卷曲微米管谐振腔的分析 | 第59-62页 |
| 3.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第四章引入AlGaAs限制层的InAs量子点自卷曲微米管谐振腔的研究 | 第66-81页 |
| 4.1 外延结构设计 | 第66-67页 |
| 4.2 引入AlGaAs限制层的InAs量子点微米管的制备及结构特性 | 第67-68页 |
| 4.3 引入AlGaAs限制层的InAs量子点微米管转移前的光学特性分析 | 第68-69页 |
| 4.4 引入AlGaAs限制层的InAs量子点微米管转移后的谐振模式分析 | 第69-71页 |
| 4.5 引入AlGaAs限制层的InAs量子点微米管谐振腔谐振模式波长分析 | 第71-73页 |
| 4.6 基于两种外延结构的量子点自卷曲微米管谐振腔的对比与分析 | 第73-74页 |
| 4.7 引入AlGaAs限制层的InAs量子点自卷曲微米管谐振腔的温度稳定性 | 第74-78页 |
| 4.8 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-81页 |
| 第五章 基于InGaAs/GaAs自卷曲微米管的卷曲石墨烯研究 | 第81-102页 |
| 5.1 石墨烯简介及其制备 | 第81-85页 |
| 5.2 InGaAs/GaAs应变双层结构的生长 | 第85-86页 |
| 5.3 基于InGaAs/GaAs自卷曲微米管的卷曲CVD石墨烯的研究 | 第86-95页 |
| 5.4 基于自卷曲微米管的气体传感器设计 | 第95-98页 |
| 5.5 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-105页 |
| 6.1 总结 | 第102-103页 |
| 6.2 展望 | 第103-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文及参与项目情况 | 第107-108页 |
