| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| §1.1 研究背景 | 第10页 |
| §1.2 甚高频等离子体制备薄膜材料的重要应用 | 第10-18页 |
| §1.3 甚高频等离子体产生技术及性能研究的重要进展 | 第18-22页 |
| §1.4 本文研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 实验方法 | 第24-30页 |
| §2.1 甚高频磁控溅射实验装置与实验条件 | 第24-26页 |
| §2.2测量分析方法 | 第26-30页 |
| 2.2.1 射频V-I探针测量射频放电的电性能 | 第26-28页 |
| 2.2.2 拒斥场能量分析仪(RFEA)测量溅射离子能量 | 第28-30页 |
| 第三章 多靶材甚高频溅射的放电特性 | 第30-45页 |
| §3.1 多靶材甚高频溅射的功率耗散特性 | 第30-34页 |
| 3.1.1 源输入功率与放电功率 | 第30-32页 |
| 3.1.2 放电功率的耗散 | 第32-34页 |
| §3.2 多靶材甚高频溅射的靶阻抗特性 | 第34-39页 |
| §3.3 多靶材甚高频溅射的靶I-V特性 | 第39-45页 |
| 第四章 多靶材甚高频溅射等离子体的离子性能 | 第45-55页 |
| §4.1 多靶材60MHz甚高频溅射等离子体的离子能量分布特性 | 第45-49页 |
| §4.2 多靶材甚高频溅射等离子体的离子能量和通量密度特性 | 第49-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-58页 |
| §5.1 本文的主要研究结果 | 第56-57页 |
| §5.2 存在的问题和进一步研究方向 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
