典型数字电路寄生辐射天线及其特性研究
摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
1.2 国内外研究现状 | 第9-15页 |
1.2.1 电磁辐射机理的研究现状 | 第9-12页 |
1.2.2 远场辐射天线模型的研究现状 | 第12-15页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
第2章 典型数字电路寄生辐射天线分析 | 第16-26页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 典型数字电路结构和工作原理 | 第16页 |
2.3 寄生辐射天线辨识和提取方法 | 第16-21页 |
2.3.1 带有单线缆的PCB结构 | 第16-20页 |
2.3.2 带有双端线缆PCB结构 | 第20-21页 |
2.4 典型数字电路的差模寄生辐射天线模型 | 第21-23页 |
2.4.1 模型提取 | 第21-22页 |
2.4.2 模型简化 | 第22-23页 |
2.5 典型数字电路的共模寄生辐射天线模型 | 第23-25页 |
2.5.1 模型提取 | 第23-24页 |
2.5.2 模型简化 | 第24-25页 |
2.6 本章小结 | 第25-26页 |
第3章 等效天线模型辐射场的解析算法 | 第26-43页 |
3.1 引言 | 第26页 |
3.2 对称共模天线辐射场计算 | 第26-33页 |
3.2.1 自由空间中的辐射场 | 第28-30页 |
3.2.2 导电平面上的辐射场 | 第30-33页 |
3.3 不对称共模天线辐射场计算 | 第33-40页 |
3.3.1 自由空间中的辐射场 | 第35-37页 |
3.3.2 导电平面上的辐射场 | 第37-40页 |
3.4 差模天线辐射场计算 | 第40-42页 |
3.5 本章小结 | 第42-43页 |
第4章 基于场路协同仿真的远场辐射预测 | 第43-53页 |
4.1 引言 | 第43页 |
4.2 高频电路模型建立和仿真 | 第43-46页 |
4.2.1 元器件模型 | 第43-44页 |
4.2.2 PCB分布参数提取 | 第44-45页 |
4.2.3 高频模型 | 第45-46页 |
4.2.4 激励源仿真与实测对比 | 第46页 |
4.3 远场辐射模型建立和仿真 | 第46-48页 |
4.4 寄生天线合成效果分析 | 第48-51页 |
4.5 各寄生天线作用分析 | 第51-52页 |
4.6 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 远场辐射的实验及结果分析 | 第53-60页 |
5.1 引言 | 第53页 |
5.2 实验平台及介绍 | 第53-54页 |
5.3 对称天线辐射场实测及分析 | 第54-55页 |
5.4 CMOS反相器电路辐射场实测及分析 | 第55-59页 |
5.5 本章小结 | 第59-60页 |
结论 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-68页 |
致谢 | 第68页 |