| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 表面等离子体激元的基本原理 | 第11-12页 |
| 1.2.1 Drude模型 | 第11-12页 |
| 1.2.2 表面等离子体激元的色散特性 | 第12页 |
| 1.3 热电子光探测器的研究背景与现状 | 第12-20页 |
| 1.3.1 光探测器的工作原理及性能参数 | 第12-13页 |
| 1.3.2 几类典型的热电子光探测器 | 第13-20页 |
| 1.4 本论文主要研究工作 | 第20-22页 |
| 第2章 热电子产生与输运的理论基础 | 第22-34页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 热电子产生的理论研究进展 | 第22-24页 |
| 2.3 表面等离子体激元衰变产生热电子的朗道阻尼过程 | 第24-26页 |
| 2.4 热电子分布随时间演化的理论模型 | 第26-28页 |
| 2.4.1 金属中的电子态密度与热电子的联合态密度分布 | 第26页 |
| 2.4.2 电子受激跃迁的量子计算模型 | 第26-28页 |
| 2.5 热电子发射的Fowler模型与修正 | 第28-32页 |
| 2.6 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 基于DBR和Au纳米条阵列的光探测器的构建和光学特性 | 第34-50页 |
| 3.1 光学仿真模型的建立 | 第34-35页 |
| 3.2 基于TammPlasmons的DBR多层平板结构光探测器的光学特性 | 第35-41页 |
| 3.3 Au纳米条阵列结构光探测器的光学特性 | 第41-45页 |
| 3.4 DBR+Au纳米条阵列结构光探测器的光学性能调控与增强 | 第45-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 基于DBR和Au纳米条阵列的光探测器的电学特性研究 | 第50-58页 |
| 4.1 光电流响应度的计算 | 第50-53页 |
| 4.2 DBR多层平板结构和Au纳米条阵列结构光探测器的响应度计算 | 第53-55页 |
| 4.3 DBR+Au纳米条阵列结构光探测器的净光电流响应调控 | 第55-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
