摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 引言 | 第12-15页 |
1.1 功能材料及其中过渡离子的重要作用 | 第12-13页 |
1.2 3d~9离子的电子顺磁共振研究现状 | 第13-15页 |
第二章 晶体场与电子顺磁共振的基本理论 | 第15-34页 |
2.1 晶体场理论 | 第15-28页 |
2.1.1 基本假设 | 第15-16页 |
2.1.2 体系哈密顿量 | 第16页 |
2.1.3 晶场势能的描述 | 第16-20页 |
2.1.4 晶场耦合方案 | 第20-22页 |
2.1.4.1 弱场耦合方案 | 第20-21页 |
2.1.4.2 中间场耦合方案 | 第21页 |
2.1.4.3 强场耦合方案 | 第21-22页 |
2.1.5 晶体场模型 | 第22-23页 |
2.1.5.1 点电荷模型 | 第22页 |
2.1.5.2 点电荷-偶极模型 | 第22页 |
2.1.5.3 重叠模型 | 第22-23页 |
2.1.6 能量矩阵的建立 | 第23-26页 |
2.1.6.1 静电矩阵 | 第23-24页 |
2.1.6.2 晶场矩阵 | 第24-25页 |
2.1.6.3 旋轨耦合矩阵 | 第25页 |
2.1.6.4 自旋-自旋耦合矩阵 | 第25-26页 |
2.1.6.5 自旋-其它-轨道相互作用矩阵 | 第26页 |
2.1.7 晶体中dN离子的共价性 | 第26-28页 |
2.1.7.1 静电参量的缩小 | 第26-27页 |
2.1.7.2 轨道缩小因子 | 第27页 |
2.1.7.3 d轨道理论和平均共价性模型 | 第27页 |
2.1.7.4 半经验分子轨道方法 | 第27-28页 |
2.1.8 Kramers简并和Jahn-Teller效应 | 第28页 |
2.2 电子顺磁共振理论 | 第28-34页 |
2.2.1 电子顺磁共振的基本原理 | 第28-29页 |
2.2.2 电子顺磁共振谱的线宽和线型 | 第29-30页 |
2.2.2.1 EPR谱线的线宽 | 第29页 |
2.2.2.2 EPR谱线的线 | 第29-30页 |
2.2.3 电子顺磁共振谱的描述-自旋哈密顿参量 | 第30-31页 |
2.2.3.1 g因子 | 第30页 |
2.2.3.2 精细结构和零场分裂 | 第30-31页 |
2.2.3.3 超精细结构 | 第31页 |
2.2.4 顺磁体系的哈密顿量 | 第31-32页 |
2.2.5 自旋哈密顿理论简介 | 第32页 |
2.2.6 前人对 3d~9离子EPR研究的现状 | 第32-33页 |
2.2.7 本工作对 3d~9离子自旋哈密顿参量理论研究的思路 | 第33-34页 |
第三章 3d~9离子在四角伸长八面体中自旋哈密顿参量的理论研究 | 第34-39页 |
3.1 3d~9组态的晶体场能级 | 第34-36页 |
3.2 3d~9离子在伸长八面体情况下自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第36-39页 |
3.2.1 传统的晶体场模型的简单二阶微扰公式 | 第36页 |
3.2.2 改进的离子簇模型 | 第36-37页 |
3.2.3 四角伸长八面体中d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第37-39页 |
第四章 3d~9离子在斜方伸八面体中的自旋哈密顿参量理论研究 | 第39-41页 |
4.1 斜方(正交)对称下 3d~9离子的晶场势和能级分裂 | 第39-40页 |
4.2 斜方(正交)八面体中 3d~9离子自旋哈密顿参量的微扰公式 | 第40-41页 |
第五章 应用 | 第41-53页 |
5.1 NaCl和AgCl中四角Cu~(2+)中心EPR参量的理论研究 | 第41-43页 |
5.1.1 NaCl和AgCl中四角Cu~(2+)中心EPR参量的理论计算 | 第41-43页 |
5.1.2 结果与讨论 | 第43页 |
5.2 氧化和非氧化BaCuO2+x中g因子的理论研究 | 第43-46页 |
5.2.1 氧化和非氧化的BaCuO2+x中g因子的理论研究理论计算 | 第44-45页 |
5.2.2 结果与讨论 | 第45-46页 |
5.3 [Cu(ipt)(dap)H_2O]n?nH_2O中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量的理论研究 | 第46-49页 |
5.3.1 [Cu(ipt)(dap)H_2O]n?nH_2O中Cu~(2+)的自旋哈密顿参量的理论计算 | 第46-48页 |
5.3.2 结果与讨论 | 第48-49页 |
5.4 [Cu(men)_2(BF_4)_2] (men = N-methyl-1,2-diaminoethane) g因子的理论研究 | 第49-53页 |
5.4.1 [Cu(men)_2(BF_4)_2] g因子的理论计算 | 第49-51页 |
5.4.2 结果与讨论 | 第51-53页 |
第六章 主要结论 | 第53-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-64页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第64-65页 |