| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 前言 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN材料基本性质 | 第8-10页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·GaN的物理化学性质 | 第9页 |
| ·GaN的能带结构 | 第9-10页 |
| ·GaN基LED简介 | 第10-14页 |
| ·GaN基LED发展历程 | 第10-11页 |
| ·GaN基LED应用于固态照明的前景和挑战 | 第11-12页 |
| ·Si衬底GaN基LED发展简介 | 第12-14页 |
| ·GaN基绿光LED简介 | 第14-23页 |
| ·GaN基绿光LED低发光效率原因探讨 | 第15-16页 |
| ·文献报道提高GaN基绿光LED方法综述 | 第16-23页 |
| ·本论文的研究内容及行文安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第2章 Si衬底GaN绿光LED制作方法及测试技术 | 第28-38页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·外延生长MOCVD设备简介 | 第28-32页 |
| ·GaN在MOCVD中的反应机制 | 第28-29页 |
| ·本文所用MOCVD管道系统及反应腔构造 | 第29-31页 |
| ·MOCVD在线监控系统 | 第31-32页 |
| ·主要器件制备设备简介 | 第32-33页 |
| ·电子束蒸发设备 | 第32页 |
| ·ICP/RIE刻蚀设备 | 第32-33页 |
| ·PECVD设备 | 第33页 |
| ·GaN LED常用检测分析技术 | 第33-36页 |
| ·X射线双晶衍射分析 | 第33-34页 |
| ·PL(光致发光)测试分析 | 第34-35页 |
| ·AFM测试技术 | 第35页 |
| ·EL(电致发光)测试系统 | 第35-36页 |
| ·Si衬底GaN LED制作方法 | 第36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第3章 p-AlGaN Al组份变化对Si衬底GaN绿光LED光电性能的影响研究 | 第38-49页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验原理 | 第38-39页 |
| ·GaN基LED内量子效率随电流密度增大而衰减的原因探讨 | 第39-41页 |
| ·样品的制备 | 第41-42页 |
| ·实验结果及讨论 | 第42-47页 |
| ·Al组份变化对外延片表面形貌的影响 | 第42-44页 |
| ·Al组份变化对I-V特性曲线的影响 | 第44-45页 |
| ·Al组份变化对光功率的影响 | 第45页 |
| ·Al组份变化对量子效率衰退规律影响 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第4章 Si衬底GaN基功率型绿光LED可靠性研究 | 第49-62页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·Si衬底功率型绿光LED光电性能研究 | 第49-53页 |
| ·LED电致发光光谱图 | 第49-52页 |
| ·LED正向电压以及光功率随电流变化曲线 | 第52-53页 |
| ·Si衬底功率型绿光LED可靠性研究 | 第53-60页 |
| ·LED在不同老化时间光电参数 | 第53-56页 |
| ·LED光功率随老化时间变化 | 第56-57页 |
| ·LED开启电压随老化时间变化 | 第57-59页 |
| ·LED正向工作电压随老化时间变化 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第5章 总结和展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士期间已发表论文 | 第65页 |
