Si衬底GaN基功率型LED芯片性能研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 综述 | 第8-33页 |
| ·前言 | 第8-9页 |
| ·GaN的基本性能 | 第9-15页 |
| ·GaN的基本结构 | 第9-11页 |
| ·GaN的基本参数 | 第11-13页 |
| ·GaN衬底的种类 | 第13-15页 |
| ·GaN基LED发光和散热性能 | 第15-23页 |
| ·LED发光亮度的提升 | 第16-18页 |
| ·LED的热管理 | 第18-23页 |
| ·LED的封装 | 第23-25页 |
| ·LED的封装方式 | 第23-24页 |
| ·LED的封装材料 | 第24-25页 |
| ·LED的可靠性 | 第25-28页 |
| ·LED芯片的失效模式 | 第25页 |
| ·LED器件的失效模式 | 第25-26页 |
| ·LED器件的失效筛选试验 | 第26-27页 |
| ·LED器件的失效率与寿命 | 第27-28页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-33页 |
| 第2章 Si衬底GaN基LED芯片老化性能研究 | 第33-42页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验方法 | 第33-35页 |
| ·芯片制备 | 第33-34页 |
| ·老化实验 | 第34-35页 |
| ·实验结果 | 第35-39页 |
| ·LED芯片老化前后的光衰 | 第35-36页 |
| ·LED芯片老化前后Ⅰ-Ⅵ曲线变化 | 第36-38页 |
| ·LED芯片老化前后的EQE | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第3章 Si衬底GaN基LED结温测量方法研究 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·数学模型 | 第43-45页 |
| ·实验过程与结果 | 第45-47页 |
| ·讨论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-49页 |
| 第4章 Si衬底GaN基LED效率下降问题研究 | 第49-62页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·综述 | 第49-55页 |
| ·效率下降的物理根源 | 第49-55页 |
| ·当前对效率下降物理根源争论的焦点 | 第55页 |
| ·实验过程与讨论 | 第55-58页 |
| ·LED的EL谱 | 第55-56页 |
| ·LED光功率与正向电流之间的关系 | 第56-57页 |
| ·LED的外量子效率 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第64页 |
