| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 薄膜晶体管结构和原理 | 第11-14页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管结构 | 第11页 |
| 1.1.2 TFT 薄膜晶体管工作原理 | 第11-14页 |
| 1.2 薄膜晶体管类型和性能比较 | 第14-15页 |
| 1.3 氧化物薄膜晶体管概述 | 第15-17页 |
| 1.4 无结薄膜晶体管 | 第17-18页 |
| 1.5 薄膜晶体管的应用 | 第18-20页 |
| 1.5.1 薄膜晶体管在液晶显示器中的应用 | 第18-19页 |
| 1.5.2 薄膜晶体管在传感器中的应用 | 第19-20页 |
| 1.6 选题依据及主要研究内容 | 第20-23页 |
| 1.6.1 选题依据 | 第20-21页 |
| 1.6.2 主要内容及章节安排 | 第21-23页 |
| 2 薄膜晶体管的制备与表征技术 | 第23-34页 |
| 2.1 薄膜晶体管衬底的选择及清洗 | 第23-24页 |
| 2.2 薄膜晶体管研制 | 第24-28页 |
| 2.2.1 等离子增强化学气相沉积 | 第24-26页 |
| 2.2.2 磁控溅射沉积 | 第26-28页 |
| 2.3 薄膜微结构表征 | 第28-30页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（scanning electron microscope 简称 SEM） | 第28-29页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜（Transmission Electron Microscope，简称 TEM） | 第29-30页 |
| 2.4 薄膜晶体管电学测试表征 | 第30-33页 |
| 2.4.1 霍尔效应分析仪 | 第30页 |
| 2.4.2 半导体参数分析仪 | 第30-32页 |
| 2.4.3 阻抗分析仪 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 3 SiO_2质子导体膜的制备及其质子导电行为分析 | 第34-42页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验材料和设备 | 第35页 |
| 3.3 SiO_2质子导体膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.4 SiO_2质子导体膜的导电行为分析 | 第36-39页 |
| 3.4.1 微结构表征 | 第36-37页 |
| 3.4.2 质子导电和阻抗分析 | 第37-39页 |
| 3.5 基于质子/电子耦合的双电层效应 | 第39-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 基于 SiO_2质子导体栅介质的低电压双电层氧化物 TFT | 第42-48页 |
| 4.1 实验材料和设备 | 第42页 |
| 4.2 器件制作过程与工艺 | 第42-44页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第44-47页 |
| 4.3.1 P 掺杂 SiO_2薄膜微结构表征和电容性能分析 | 第44页 |
| 4.3.2 无结 IZO 底栅结构电学性能分析 | 第44-46页 |
| 4.3.3 器件稳定性能分析 | 第46页 |
| 4.3.4 不规则阈值电压漂移的原理分析 | 第46-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5 侧栅静电调控无结 IZO 薄膜晶体管 | 第48-55页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 实验材料和设备 | 第48页 |
| 5.3 器件制备工艺 | 第48-49页 |
| 5.4 实验结果与讨论 | 第49-54页 |
| 5.4.1 无结IZO TFT 单侧栅电学性能测试与分析 | 第49-52页 |
| 5.4.2 无结 IZOTFT 双侧栅的逻辑功能 | 第52-54页 |
| 5.5 本章总结 | 第54-55页 |
| 6 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 在学研究成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
