| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 物理学中的拓扑 | 第9-11页 |
| 1.1.1 拓扑学 | 第9-10页 |
| 1.1.2 凝聚态物理学中的拓扑 | 第10-11页 |
| 1.2 破坏时间反演对称性的拓扑不变量 | 第11-15页 |
| 1.2.1 整数量子霍尔效应 | 第11-13页 |
| 1.2.2 破坏时间反演对称的拓扑超导态 | 第13-15页 |
| 1.3 时间反演对称性保护的拓扑态 | 第15-21页 |
| 1.3.1 拓扑绝缘体 | 第18-20页 |
| 1.3.2 时间反演不变的拓扑超导 | 第20-21页 |
| 1.4 Majorana零能模与拓扑超导 | 第21-33页 |
| 1.4.1 Sr_2RuO_4体系 | 第24-25页 |
| 1.4.2 基于一维、二维拓扑绝缘体的拓扑超导 | 第25-29页 |
| 1.4.3 基于一维强自旋轨道耦合纳米线的拓扑超导 | 第29-31页 |
| 1.4.4 基于量子反常霍尔效应的手性Majorana模 | 第31-33页 |
| 1.5 本文研究动机 | 第33-35页 |
| 第二章 Bi/Ni双层薄膜超导体的研究 | 第35-65页 |
| 2.1 已有的Bi/Ni超导电性的研究进展 | 第35-40页 |
| 2.2 器件制备 | 第40-43页 |
| 2.3 测量设备 | 第43-47页 |
| 2.4 数据测量与分析 | 第47-63页 |
| 2.4.1 微分电阻测量方法 | 第47-48页 |
| 2.4.2 SQUID干涉效应 | 第48-51页 |
| 2.4.3 测量结果 | 第51-55页 |
| 2.4.4 反常回滞 | 第55-58页 |
| 2.4.5 超导畴 | 第58-63页 |
| 2.5 总结 | 第63-65页 |
| 第三章 基于拓扑绝缘体Bi_2Te_3表面态的拓扑超导电性 | 第65-85页 |
| 3.1 Andreev束缚态 | 第65-70页 |
| 3.2 器件制备 | 第70-73页 |
| 3.3 数据测量 | 第73-80页 |
| 3.4 数据分析 | 第80-82页 |
| 3.5 总结 | 第82-85页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-99页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
