| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景概述 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 半导体激光器研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.2 紫外半导体激光器研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 深紫外半导体激光器面临的问题 | 第14-15页 |
| 1.4 论文结构与内容简介 | 第15-17页 |
| 2 深紫外半导体激光器原理及器件性能 | 第17-29页 |
| 2.1 半导体激光器工作原理 | 第17-19页 |
| 2.1.1 粒子数反转分布 | 第17-18页 |
| 2.1.2 谐振腔 | 第18页 |
| 2.1.3 增益与阈值条件 | 第18-19页 |
| 2.2 材料性质 | 第19-24页 |
| 2.2.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的基本性质 | 第19-21页 |
| 2.2.2 极化效应 | 第21-23页 |
| 2.2.3 AlGaN材料特性 | 第23-24页 |
| 2.3 激光器主要特性 | 第24-27页 |
| 2.3.1 阈值特性 | 第24-25页 |
| 2.3.2 P-I特性 | 第25-26页 |
| 2.3.3 发射波长 | 第26-27页 |
| 2.3.4 激光束的空间分布 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 3 模拟理论及参数设定 | 第29-41页 |
| 3.1 仿真环境介绍 | 第29-32页 |
| 3.2 器件模拟理论基础 | 第32-33页 |
| 3.3 能带结构模型 | 第33-36页 |
| 3.4 极化模型 | 第36-37页 |
| 3.5 载流子的迁移率模型 | 第37页 |
| 3.6 折射率计算模型 | 第37-38页 |
| 3.7 载流子复合模型 | 第38-39页 |
| 3.8 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 280nm深紫外半导体激光器结构设计 | 第41-59页 |
| 4.1 有源区结构设计 | 第41-52页 |
| 4.1.1 组分选取 | 第41-43页 |
| 4.1.2 量子阱个数优化 | 第43-47页 |
| 4.1.3 阱宽和垒厚度设计优化 | 第47-52页 |
| 4.2 腔长的设计 | 第52页 |
| 4.3 器件整体结构设计与输出特性 | 第52-57页 |
| 4.3.1 器件整体结构设计 | 第52-54页 |
| 4.3.2 器件输出特性 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 5 一种改进型的 280nm AlGaN基深紫外半导体激光器 | 第59-67页 |
| 5.1 问题分析 | 第59-61页 |
| 5.2 结构设计 | 第61-62页 |
| 5.3 输出特性分析 | 第62-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 6 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 本文总结 | 第67-68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 个人简历、在校期间发表的学术论文与研究成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |