碳氮化法制备晶态SiCN的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 前言 | 第9页 |
| 1.2 SiCN的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.3 SiCN材料的制备方法 | 第11-14页 |
| 1.3.1 聚合物前驱体法 | 第11-13页 |
| 1.3.2 化学气相沉积法 | 第13页 |
| 1.3.3 物理气相沉积法 | 第13-14页 |
| 1.3.4 碳氮化法 | 第14页 |
| 1.4 SiCN材料的性能和应用 | 第14-16页 |
| 1.4.1 SiCN材料的物理化学性能 | 第14-15页 |
| 1.4.2 SiCN材料的导电性 | 第15页 |
| 1.4.3 SiCN材料的压阻效应 | 第15页 |
| 1.4.4 SiCN材料的光学性能 | 第15-16页 |
| 1.5 论文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 实验过程及分析方法 | 第18-22页 |
| 2.1 原料与仪器 | 第18页 |
| 2.2 实验过程 | 第18-19页 |
| 2.3 表征方法 | 第19-22页 |
| 第3章 原料种类和成型方式对合成SiCN的影响 | 第22-34页 |
| 3.1 合成产物的物相组成 | 第22-24页 |
| 3.2 合成产物的化学键组成 | 第24-29页 |
| 3.3 合成产物的显微结构 | 第29-32页 |
| 3.4 小结 | 第32-34页 |
| 第4章 碳氮化温度对合成SiCN的影响 | 第34-47页 |
| 4.1 合成产物的物相组成 | 第34-35页 |
| 4.2 合成产物的化学键组成 | 第35-39页 |
| 4.2.1 XPS分析 | 第35-38页 |
| 4.2.2 FT-IR光谱分析 | 第38-39页 |
| 4.3 热稳定性和抗氧化性 | 第39-41页 |
| 4.4 合成产物的显微结构 | 第41-46页 |
| 4.4.1 SEM分析 | 第41-43页 |
| 4.4.2 TEM分析 | 第43-46页 |
| 4.5 小结 | 第46-47页 |
| 第5章 原料配比对合成SiCN的影响 | 第47-65页 |
| 5.1 合成产物的物相组成 | 第48-51页 |
| 5.2 合成产物的化学键组成 | 第51-57页 |
| 5.3 显微结构 | 第57-63页 |
| 5.3.1 SEM分析 | 第57-59页 |
| 5.3.2 TEM分析 | 第59-63页 |
| 5.4 小结 | 第63-65页 |
| 第6章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录1攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75页 |
