| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 铟硒化合物的概述 | 第11-20页 |
| 1.1.1 铟硒化合物的晶体结构 | 第11-13页 |
| 1.1.2 铟硒化合物材料的光电性能 | 第13-14页 |
| 1.1.3 In_2Se_3的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.1.4 In_2Se_3薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
| 1.2 薄膜的生长和影响因素 | 第20-22页 |
| 1.2.1 薄膜的形核和生长 | 第20-21页 |
| 1.2.2 影响薄膜生长因素 | 第21-22页 |
| 1.3 本文研究意义与内容 | 第22-24页 |
| 第2章 In_2Se_3薄膜的制备方法及表征手段 | 第24-32页 |
| 2.1 磁控溅射法制备薄膜 | 第24-25页 |
| 2.2 In_2Se_3薄膜的制备设备 | 第25-26页 |
| 2.3 In_2Se_3薄膜的表征 | 第26-32页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| 2.3.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第27-28页 |
| 2.3.3 能量色散谱(EDS)分析 | 第28页 |
| 2.3.4 紫外-可见光图谱测试分析 | 第28-30页 |
| 2.3.5 拉曼光谱分析 | 第30-31页 |
| 2.3.6 台阶仪测试 | 第31-32页 |
| 第3章 溅射工艺参数对In_2Se_3薄膜结构和性能影响 | 第32-59页 |
| 3.1 溅射功率 | 第32-37页 |
| 3.1.1 溅射功率对In_2Se_3薄膜沉积速率的影响 | 第32-34页 |
| 3.1.2 溅射功率对In_2Se_3薄膜表面形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.1.3 溅射功率对In_2Se_3薄膜成分的影响 | 第35-37页 |
| 3.1.4 本节小结 | 第37页 |
| 3.2 温度对In_2Se_3成膜影响 | 第37-42页 |
| 3.2.1 衬底温度对In_2Se_3薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.2 衬底温度对In_2Se_3薄膜形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.2.3 衬底温度对In_2Se_3薄膜成分的影响 | 第40页 |
| 3.2.4 衬底温度对In_2Se_3薄膜光透过率的影响 | 第40-42页 |
| 3.2.5 本节小结 | 第42页 |
| 3.3 退火对低温沉积In_2Se_3薄膜的影响 | 第42-49页 |
| 3.3.1 退火对低温沉积In_2Se_3薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.2 退火对低温沉积In_2Se_3薄膜形貌和成分的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.3 退火对低温沉积In_2Se_3薄膜光透过率的影响 | 第47-48页 |
| 3.3.4 本节小结 | 第48-49页 |
| 3.4 沉积时间对In_2Se_3成膜的影响 | 第49-53页 |
| 3.4.1 沉积时间对In_2Se_3结构的影响 | 第49-50页 |
| 3.4.2 沉积时间对In_2Se_3表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 3.4.3 沉积时间对In_2Se_3光透过率的影响 | 第51-53页 |
| 3.4.4 本节小结 | 第53页 |
| 3.5 工作气压对In_2Se_3成膜影响 | 第53-59页 |
| 3.5.1 工作气压对In_2Se_3沉积速率影响 | 第53-54页 |
| 3.5.2 工作气压对In_2Se_3结构的影响 | 第54-55页 |
| 3.5.3 工作气压对In_2Se_3形貌和成分影响 | 第55-57页 |
| 3.5.4 工作气压对In_2Se_3光透过率的影响 | 第57-58页 |
| 3.5.5 本节小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 | 第66页 |
