| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 Ge场效应晶体管与Ge欧姆接触问题 | 第11-12页 |
| 1.2 金属/n-Ge接触的研究进展 | 第12-18页 |
| 1.2.1 金属/n-Ge接触界面的费米能级钉扎效应 | 第12-15页 |
| 1.2.2 金属/n-Ge接触界面改性与势垒高度调制 | 第15-18页 |
| 1.3 纳米TaN薄膜对金属/n-Ge接触势垒高度的调制效应 | 第18-20页 |
| 1.4 论文章节安排 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 金属/n-Ge接触的基本理论 | 第24-32页 |
| 2.1 金属氮化物基本性质与制备方法 | 第24-27页 |
| 2.1.1 金属氮化物基本性质 | 第24-25页 |
| 2.1.2 金属氮化物薄膜沉积方法 | 第25-27页 |
| 2.2 金属/半导体接触势垒高度、比接触电阻的提取模型和计算方法 | 第27-31页 |
| 2.2.1 金属/半导体接触势垒高度的理论模型 | 第27-29页 |
| 2.2.2 金属/半导体欧姆接触比接触电阻的测试方法 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 TiN_x/n-Ge接触势垒高度调制效应 | 第32-45页 |
| 3.1 TiN_x薄膜的沉积和表征 | 第32-39页 |
| 3.1.1 TiN_x薄膜的沉积 | 第32-34页 |
| 3.1.2 TiN_x溥膜电阻率与XRD分析 | 第34-36页 |
| 3.1.3 TiN_x薄膜XPS分析及组分确定 | 第36-39页 |
| 3.2 TiN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及测试 | 第39-41页 |
| 3.2.1 测量TiN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及器件结构 | 第39页 |
| 3.2.2 TiN_x/n-Ge接触的Ⅰ-Ⅴ测试结果 | 第39-40页 |
| 3.2.3 TiN_(0.8)/n-Ge接触热稳定性研究 | 第40-41页 |
| 3.3 TiN_x薄膜调制金属/n-Ge接触势垒高度的机理分析 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 WN_x/n-Ge接触势垒高度调制效应 | 第45-59页 |
| 4.1 WN_x薄膜的沉积和表征 | 第45-52页 |
| 4.1.1 WN_x薄膜沉积工艺 | 第45-47页 |
| 4.1.2 WN_x薄膜的XRD与电阻率 | 第47-48页 |
| 4.1.3 WN_x薄膜XPS分析 | 第48-52页 |
| 4.2 WN_x薄膜调制金属/n-Ge接触势垒高度的实验设计和分析 | 第52-53页 |
| 4.2.1 测量WN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及器件结构 | 第52页 |
| 4.2.2 WN_x/n-Ge接触的Ⅰ-Ⅴ测试结果 | 第52-53页 |
| 4.3 WN_x/n~+-Ge接触的比接触电阻的研究 | 第53-55页 |
| 4.4 N-Ge偶极子层模型 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 附录：硕士期间科研成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
