首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文

金属氮化物与锗接触特性研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第11-24页
    1.1 Ge场效应晶体管与Ge欧姆接触问题第11-12页
    1.2 金属/n-Ge接触的研究进展第12-18页
        1.2.1 金属/n-Ge接触界面的费米能级钉扎效应第12-15页
        1.2.2 金属/n-Ge接触界面改性与势垒高度调制第15-18页
    1.3 纳米TaN薄膜对金属/n-Ge接触势垒高度的调制效应第18-20页
    1.4 论文章节安排第20-22页
    参考文献第22-24页
第二章 金属/n-Ge接触的基本理论第24-32页
    2.1 金属氮化物基本性质与制备方法第24-27页
        2.1.1 金属氮化物基本性质第24-25页
        2.1.2 金属氮化物薄膜沉积方法第25-27页
    2.2 金属/半导体接触势垒高度、比接触电阻的提取模型和计算方法第27-31页
        2.2.1 金属/半导体接触势垒高度的理论模型第27-29页
        2.2.2 金属/半导体欧姆接触比接触电阻的测试方法第29-31页
    参考文献第31-32页
第三章 TiN_x/n-Ge接触势垒高度调制效应第32-45页
    3.1 TiN_x薄膜的沉积和表征第32-39页
        3.1.1 TiN_x薄膜的沉积第32-34页
        3.1.2 TiN_x溥膜电阻率与XRD分析第34-36页
        3.1.3 TiN_x薄膜XPS分析及组分确定第36-39页
    3.2 TiN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及测试第39-41页
        3.2.1 测量TiN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及器件结构第39页
        3.2.2 TiN_x/n-Ge接触的Ⅰ-Ⅴ测试结果第39-40页
        3.2.3 TiN_(0.8)/n-Ge接触热稳定性研究第40-41页
    3.3 TiN_x薄膜调制金属/n-Ge接触势垒高度的机理分析第41-42页
    3.4 本章小结第42-43页
    参考文献第43-45页
第四章 WN_x/n-Ge接触势垒高度调制效应第45-59页
    4.1 WN_x薄膜的沉积和表征第45-52页
        4.1.1 WN_x薄膜沉积工艺第45-47页
        4.1.2 WN_x薄膜的XRD与电阻率第47-48页
        4.1.3 WN_x薄膜XPS分析第48-52页
    4.2 WN_x薄膜调制金属/n-Ge接触势垒高度的实验设计和分析第52-53页
        4.2.1 测量WN_x/n-Ge接触势垒高度的实验设计及器件结构第52页
        4.2.2 WN_x/n-Ge接触的Ⅰ-Ⅴ测试结果第52-53页
    4.3 WN_x/n~+-Ge接触的比接触电阻的研究第53-55页
    4.4 N-Ge偶极子层模型第55-57页
    4.5 本章小结第57-58页
    参考文献第58-59页
第五章 总结与展望第59-60页
附录:硕士期间科研成果第60-61页
致谢第61页

论文共61页,点击 下载论文
上一篇:声纹识别系统在满意度电话回访作弊排查中的应用
下一篇:土地开发中被征地农民的“游民化”倾向研究