摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 硅基负极材料的研究概况 | 第12-19页 |
1.2.1 硅的纳米化 | 第12-13页 |
1.2.2 硅复合材料 | 第13-14页 |
1.2.3 硅的多孔化 | 第14-15页 |
1.2.4 硅的氧化物 | 第15-17页 |
1.2.5 硅基材料的结构设计 | 第17-19页 |
1.3 本课题的研究目的与内容 | 第19-20页 |
第2章 仪器与实验方法 | 第20-26页 |
2.1 药品与仪器 | 第20-21页 |
2.1.1 实验药品 | 第20页 |
2.1.2 实验仪器 | 第20-21页 |
2.2 硅基材料的制备 | 第21-23页 |
2.2.1 刻蚀制备多孔硅基材料 | 第21-22页 |
2.2.2 类石榴结构硅基材料制备 | 第22页 |
2.2.3 中空多孔核壳结构硅基材料制备 | 第22-23页 |
2.3 电极的制备与扣式半电池的组装 | 第23-24页 |
2.4 材料的物理表征 | 第24页 |
2.4.1 X 射线衍射(XRD) | 第24页 |
2.4.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第24页 |
2.4.3 热重分析(TG) | 第24页 |
2.4.4 比表面积分析(BET) | 第24页 |
2.4.5 傅利叶变换红外光谱测试(FT-IR) | 第24页 |
2.5 材料的电化学表征 | 第24-26页 |
2.5.1 恒电流充放电测试 | 第24-25页 |
2.5.2 交流阻抗测试 | 第25-26页 |
第3章 多孔硅刻蚀制备 | 第26-35页 |
3.1 前言 | 第26页 |
3.2 Ag/HF-H_2O_2体系 | 第26-29页 |
3.2.1 Ag/HF-H_2O_2体系刻蚀硅 | 第26-28页 |
3.2.2 Ag/HF-H_2O_2体系刻蚀 SiO | 第28-29页 |
3.3 Cu/HF 体系 | 第29-32页 |
3.3.1 Cu/HF-H_2O_2体系 | 第29-30页 |
3.3.2 Cu/HF-Fe3+体系 | 第30-32页 |
3.4 NaOH 刻蚀歧化 SiO | 第32-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-35页 |
第4章 类石榴结构硅基复合材料 | 第35-46页 |
4.1 引言 | 第35-36页 |
4.2 SiO 的高温歧化 | 第36-38页 |
4.2.1 歧化 SiO 的 XRD 表征 | 第36-37页 |
4.2.2 歧化 SiO 的电化学性能测试 | 第37-38页 |
4.3 歧化 SiO 的刻蚀 | 第38-40页 |
4.3.1 刻蚀后材料的物理表征 | 第38-39页 |
4.3.2 刻蚀时间的影响 | 第39-40页 |
4.4 乙炔裂解碳包覆 | 第40-44页 |
4.4.1 物料装载厚度对碳包覆的影响 | 第40-42页 |
4.4.2 包覆温度对性能影响 | 第42-43页 |
4.4.3 乙炔气体流速对性能影响 | 第43页 |
4.4.4 包覆时间对性能影响 | 第43-44页 |
4.5 本章小结 | 第44-46页 |
第5章 中空多孔核壳结构硅基材料 | 第46-70页 |
5.1 前言 | 第46-47页 |
5.2 中空多孔核壳结构 HF-mSiO@C 的制备 | 第47-52页 |
5.2.1 聚苯胺的性质 | 第47-48页 |
5.2.2 SiO 和 mSiO@C 的电化学性能表征 | 第48-49页 |
5.2.3 制备过程产物的物理表征 | 第49-52页 |
5.3 材料的结构优化与混合改性 | 第52-57页 |
5.3.1 碳壳厚度的影响 | 第53-55页 |
5.3.2 空体积的优化 | 第55-56页 |
5.3.3 HF-mSiO@C 与石墨混合改性 | 第56-57页 |
5.4 一步球磨法制备 HF-mSiO@C 材料 | 第57-63页 |
5.4.1 蔗糖的相关性质测试 | 第57-58页 |
5.4.2 HF-mSiO@C 材料的物理表征 | 第58-59页 |
5.4.3 HF-mSiO@C 材料的电化学性能表征 | 第59-60页 |
5.4.4 结构对库伦效率影响的讨论 | 第60-61页 |
5.4.5 材料的预嵌锂处理 | 第61-63页 |
5.5 NaOH 刻蚀制备 | 第63-64页 |
5.6 结构对膨胀的抑制及失效原因分析 | 第64-69页 |
5.6.1 结构对膨胀的抑制 | 第64-65页 |
5.6.2 失效原因分析 | 第65-69页 |
5.7 本章小结 | 第69-70页 |
结论 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-77页 |
致谢 | 第77页 |