摘要 | 第3-4页 |
ABSTRACT | 第4页 |
第一章 文献综述 | 第8-20页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 纳米半导体的物理和化学特性 | 第9-10页 |
1.2.1 光学特性 | 第9-10页 |
1.2.2 光电转换特性 | 第10页 |
1.2.3 电学特性 | 第10页 |
1.3 纳米硫化物半导体的研究现状 | 第10-12页 |
1.4 纳米硫化铋概述 | 第12-13页 |
1.5 纳米硫化铋的制备方法 | 第13-17页 |
1.5.1 离子液法 | 第14-15页 |
1.5.2 水热法 | 第15页 |
1.5.3 溶剂热法 | 第15-16页 |
1.5.4 其他方法 | 第16-17页 |
1.6 纳米硫化铋的性能及应用 | 第17-19页 |
1.7 本课题的研究思路和创新点 | 第19-20页 |
第二章 实验原料与实验设备 | 第20-24页 |
2.1 实验原料 | 第20-21页 |
2.2 实验设备 | 第21-22页 |
2.2.1 85-2 型恒温磁力搅拌器 | 第21页 |
2.2.2 超声波清洗器 | 第21页 |
2.2.3 离心机 | 第21页 |
2.2.4 电子天平 | 第21页 |
2.2.5 三用紫外灯 | 第21页 |
2.2.6 反应釜 | 第21页 |
2.2.7 电热鼓风干燥箱 | 第21-22页 |
2.3 表征手段 | 第22-24页 |
2.3.1 微观结构分析 | 第22页 |
2.3.2 表面微区形貌分析 | 第22页 |
2.3.3 结晶相分析 | 第22页 |
2.3.4 元素分析 | 第22页 |
2.3.5 表面化学键分析 | 第22页 |
2.3.6 光致发光分析 | 第22-23页 |
2.3.7 紫外-可见吸收分析 | 第23页 |
2.3.8 瞬态光谱分析 | 第23-24页 |
第三章 Bi_2S_3纳米材料的制备及其光学性能研究 | 第24-45页 |
3.1 体系的酸碱性对Bi_2S_3 纳米材料形貌的影响 | 第24-29页 |
3.1.1 实验过程 | 第24-25页 |
3.1.2 Bi_2S_3 纳米材料结构和形貌表征 | 第25-28页 |
3.1.3 Bi_2S_3 纳米材料的光学性能 | 第28-29页 |
3.2 表面活性剂对Bi_2S_3 纳米材料形貌的影响 | 第29-32页 |
3.2.1 实验过程 | 第29-30页 |
3.2.2 Bi_2S_3 纳米材料结构和形貌表征 | 第30-32页 |
3.3 反应温度对Bi_2S_3 纳米材料形貌的影响 | 第32-35页 |
3.3.1 不同反应温度制备的Bi_2S_3 纳米材料的形貌 | 第32-33页 |
3.3.2 不同形貌Bi_2S_3 纳米材料的光学性能研究 | 第33-35页 |
3.4 不同硫源对Bi_2S_3 纳米材料形貌的影响 | 第35-43页 |
3.4.1 水热反应法不同硫源制备Bi_2S_3 纳米材料的形貌 | 第35-40页 |
3.4.2 低温共沉淀法采用不同硫源制备Bi_2S_3 纳米材料的形貌 | 第40-42页 |
3.4.3 Bi_2S_3 纳米材料的光学性能 | 第42-43页 |
3.5 Bi_2S_3 纳米棒的形成机理研究 | 第43-44页 |
3.6 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 Bi_2S_3量子点的制备及有机物修饰对其光学性能研究 | 第45-64页 |
4.1 Bi_2S_3 量子点的制备 | 第45-46页 |
4.2 Bi_2S_3 量子点的形貌影响因素 | 第46-50页 |
4.2.1 Bi_2S_3 量子点的结构和形貌表征 | 第46-48页 |
4.2.2 反应物的种类对Bi_2S_3 量子点形貌的影响 | 第48-49页 |
4.2.3 反应温度对Bi_2S_3 量子点形貌的影响 | 第49-50页 |
4.3 有机酸修饰Bi_2S_3 量子点的发光性能研究 | 第50-52页 |
4.3.1 实验部分 | 第51页 |
4.3.2 有机酸修饰发光性能分析 | 第51-52页 |
4.4 Bi_2S_3 量子点对有机荧光物质发光性能影响 | 第52-63页 |
4.4.1 有机荧光物质修饰 Bi_2S_3 量子点的结构和形貌表征 | 第53-54页 |
4.4.2 有机荧光物质修饰 Bi_2S_3 量子点的表面价键分析 | 第54-55页 |
4.4.3 Bi_2S_3 量子点浓度对有机荧光物质发光强度影响 | 第55-57页 |
4.4.4 Bi_2S_3 量子点促使有机荧光物质荧光猝灭机理研究 | 第57-63页 |
4.5 本章小结 | 第63-64页 |
第五章 结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-72页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第72-73页 |
致谢 | 第73页 |