| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 引言 | 第15-17页 |
| 第一章 正电子湮没谱学 | 第17-40页 |
| 1.1 正电子湮没技术 | 第17-27页 |
| 1.1.1 正电子的发现 | 第17-19页 |
| 1.1.2 正电子湮没特性 | 第19-22页 |
| 1.1.3 主要正电子湮没参数 | 第22-24页 |
| 1.1.4 电子偶素的形成与湮没 | 第24-27页 |
| 1.2 正电子湮没测量技术 | 第27-40页 |
| 1.2.1 正电子源 | 第27-29页 |
| 1.2.2 正电子湮没寿命谱测量 | 第29-32页 |
| 1.2.3 正电子湮没辐射多普勒展宽谱测量 | 第32-40页 |
| 第二章 数字正电子寿命谱仪 | 第40-64页 |
| 2.1 数字正电子寿命发展概况 | 第40-45页 |
| 2.2 数字正电子寿命谱仪硬件系统 | 第45-51页 |
| 2.2.1 数字示波器 | 第45-48页 |
| 2.2.2 光电倍增管 | 第48-51页 |
| 2.3 数字正电子寿命谱仪软件系统 | 第51-59页 |
| 2.3.1 数字正电子寿命谱原理 | 第52-53页 |
| 2.3.2 数字正电子寿命谱软件 | 第53-58页 |
| 2.3.3 正电子谱湮没谱分析软件 | 第58-59页 |
| 2.4 数字正电子寿命谱仪性能分析 | 第59-63页 |
| 2.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第三章 符合多普勒展宽谱去卷积Monte Carlo模拟 | 第64-76页 |
| 3.1 引言 | 第64页 |
| 3.2 Monte Carlo方法模拟符合多普勒展宽谱 | 第64-66页 |
| 3.3 探头参数对符合多普勒展宽谱的影响 | 第66-69页 |
| 3.3.1 探头分辨函数对符合多普勒谱的影响 | 第66页 |
| 3.3.2 探头分辨函数对多普勒的商谱曲线影响 | 第66-68页 |
| 3.3.3 探头的增益变化对符合多普勒谱的影响 | 第68-69页 |
| 3.4 样品自身对符合多普勒展宽谱的影响 | 第69-71页 |
| 3.5 符合多普勒去卷积 | 第71-73页 |
| 3.6 符合多普勒展宽谱去卷积影响 | 第73-75页 |
| 3.7 本章小结 | 第75-76页 |
| 第四章 GaSb半导体缺陷的正电子研究 | 第76-100页 |
| 4.1 引言 | 第76-79页 |
| 4.2 原生未掺杂GaSb的缺陷研究 | 第79-82页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第80页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第80-82页 |
| 4.3 质子辐照未掺杂GaSb的缺陷研究 | 第82-87页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第82-83页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第83-87页 |
| 4.4 电子辐照未掺杂和掺Te的GaSb的缺陷研究 | 第87-99页 |
| 4.4.1 实验方法 | 第88页 |
| 4.4.2 实验结果 | 第88-99页 |
| 4.5 本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-109页 |
| 攻博期间发表科研成果目录 | 第109-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
