| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 氧化物半导体气体传感器概述 | 第13-20页 |
| 1.2.1 气体传感器简介 | 第13页 |
| 1.2.2 氧化物半导体气体传感器的历史和分类 | 第13-15页 |
| 1.2.3 氧化物半导体气体传感器的特征参数 | 第15-17页 |
| 1.2.4 氧化物半导体气体传感器的敏感机理 | 第17-20页 |
| 1.3 金属氧化物半导体(MOS)敏感材料的制备及敏感功能设计 | 第20-34页 |
| 1.3.1 MOS敏感材料的制备方法概述 | 第21-23页 |
| 1.3.2 MOS敏感材料的微纳结构设计 | 第23-28页 |
| 1.3.3 MOS敏感材料的修饰改性 | 第28-30页 |
| 1.3.4 MOS敏感材料的异质结构设计及增感机理分析 | 第30-34页 |
| 1.4 本论文的研究思路及结构 | 第34-36页 |
| 第2章 单一氧化物半导体的可控制备及其气体传感特性 | 第36-57页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 氧化铟分等级结构的制备及其对二氧化氮敏感特性的研究 | 第37-47页 |
| 2.2.1 实验部分 | 第37-39页 |
| 2.2.2 样品的表征 | 第39-43页 |
| 2.2.3 氧化铟纳米棒束的气敏特性 | 第43-47页 |
| 2.3 氧化锌核壳结构的制备及其气敏特性分析 | 第47-55页 |
| 2.3.1 氧化锌核壳结构的制备 | 第48页 |
| 2.3.2 样品的表征 | 第48-51页 |
| 2.3.3 氧化锌核壳结构的气敏特性 | 第51-55页 |
| 2.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 单一氧化物半导体的贵金属修饰及其传感特性的改进 | 第57-66页 |
| 3.1 引言 | 第57-58页 |
| 3.2 敏感材料的合成 | 第58页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第58-64页 |
| 3.3.1 结构及形貌表征 | 第58-61页 |
| 3.3.2 敏感材料气敏特性的表征与分析 | 第61-63页 |
| 3.3.3 气敏机理讨论 | 第63-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第4章 Au@氧化物半导体异质结构的可控制备及其气体传感特性 | 第66-89页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 基于Au@ZnO核壳结构的丙酮气体传感器 | 第67-78页 |
| 4.2.1 敏感材料的制备 | 第67-68页 |
| 4.2.2 Au@ZnO核壳结构的表征 | 第68-72页 |
| 4.2.3 Au@ZnO对丙酮的气敏特性 | 第72-78页 |
| 4.3 基于Au@In_2O_3核壳结构的甲醛气体传感器 | 第78-87页 |
| 4.3.1 敏感材料的制备 | 第78页 |
| 4.3.2 Au@In_2O_3核壳结构的表征 | 第78-83页 |
| 4.3.3 Au@In_2O_3核壳结构对甲醛的气敏特性 | 第83-87页 |
| 4.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 第5章 ZnO/ZnFe_2O_4异质结构的设计、制备及其气体传感特性 | 第89-101页 |
| 5.1 引言 | 第89-90页 |
| 5.2 敏感材料的制备 | 第90-91页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第91-100页 |
| 5.3.1 结构及形貌表征 | 第91-95页 |
| 5.3.2 气敏特性的研究 | 第95-99页 |
| 5.3.3 敏感机理分析 | 第99-100页 |
| 5.4 本章小结 | 第100-101页 |
| 第6章 总结与展望 | 第101-104页 |
| 参考文献 | 第104-123页 |
| 作者简介 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126页 |
