基于交叉克尔非线性的纠缠态制备及保真度的研究
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
引言 | 第6-8页 |
第一章 量子信息学基本概念 | 第8-15页 |
1.1 量子纠缠理论 | 第8-10页 |
1.1.1 两体系统的量子纠缠 | 第8-9页 |
1.1.2 纠缠度 | 第9页 |
1.1.3 常用纠缠态 | 第9-10页 |
1.2 保真度理论 | 第10-12页 |
1.3 退相干理论 | 第12-15页 |
1.3.1 由环境导致的退相干 | 第12-13页 |
1.3.2 量子信息衰减造成的退相干 | 第13-15页 |
第二章 基于交叉克尔非线性的纠缠相干态制备方案 | 第15-20页 |
2.1 交叉克尔非线性效应 | 第15页 |
2.2 纠缠相干态的制备 | 第15-18页 |
2.3 高维纠缠相干态的制备 | 第18-19页 |
2.4 结论 | 第19-20页 |
第三章 基于交叉克尔非线性的GHZ态制备方案 | 第20-28页 |
3.1 线性光学组件基本原理 | 第20-22页 |
3.2 三粒子GHZ态的制备 | 第22-26页 |
3.3 任意n光子GHZ态的制备 | 第26-27页 |
3.4 结论 | 第27-28页 |
第四章 基于非最大纠缠态隐形传态的保真度研究 | 第28-34页 |
4.1 基于非最大纠缠相干态的隐形传态 | 第28-29页 |
4.2 采用双模光子数测量 | 第29-31页 |
4.3 采用奇偶态测量 | 第31-33页 |
4.4 结论 | 第33-34页 |
总结 | 第34-36页 |
参考文献 | 第36-39页 |
致谢 | 第39-40页 |
在读期间公开发表论文(著)及科研情况 | 第40页 |