| 中文摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体光催化原理 | 第11页 |
| 1.3 光催化活性的影响因素 | 第11-13页 |
| 1.4 新型光催化材料的设计 | 第13-14页 |
| 1.4.1 传统光催化材料的改性 | 第13-14页 |
| 1.4.2 新兴光催化材料的设计 | 第14页 |
| 1.5 Zn_2GeO_4的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.6 ZnIn_2S_4的研究进展 | 第15-16页 |
| 1.7 元素半导体P的研究进展 | 第16-18页 |
| 1.8 本论文的主要工作内容和研究重点 | 第18-20页 |
| 第二章 密度泛函理论与计算方法 | 第20-25页 |
| 2.1 Schrodinger方程 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-22页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第22-23页 |
| 2.4 Materials-Studio软件简介 | 第23页 |
| 2.5 CASTEP程序包 | 第23-25页 |
| 第三章 N,F单掺杂和共掺杂Zn_2GeO_4体系电子结构的理论研究 | 第25-39页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 模型和计算方法 | 第26-27页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第27-38页 |
| 3.3.1 几何结构与热力学稳定性 | 第27-31页 |
| 3.3.2 电子结构 | 第31-36页 |
| 3.3.3 载流子的迁移 | 第36-37页 |
| 3.3.4 光吸收性质 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 半导体ZnIn_2S_4电子结构的理论研究 | 第39-50页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 计算方法和模型 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-49页 |
| 4.3.1 几何结构 | 第40-43页 |
| 4.3.2 电子结构 | 第43-46页 |
| 4.3.3 载流子的迁移和分离 | 第46-47页 |
| 4.3.4 带边位置 | 第47-48页 |
| 4.3.5 光吸收性质 | 第48-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 元素半导体磷的电子结构的理论研究 | 第50-68页 |
| 5.1 引言 | 第50-51页 |
| 5.2 计算方法及模型 | 第51-52页 |
| 5.3 计算结果与讨论 | 第52-66页 |
| 5.3.1 几何结构 | 第52-56页 |
| 5.3.2 电子结构 | 第56-60页 |
| 5.3.3 载流子的迁移和分离 | 第60-64页 |
| 5.3.4 带边位置 | 第64-65页 |
| 5.3.5 光吸收性质 | 第65-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简历 | 第82-83页 |
| 在读期间已发表的论文 | 第83页 |
| 参加的科研项目 | 第83页 |