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IGBT电力电子系统多时间尺度动态性能的建模与分析

致谢第4-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 本文的研究背景与学术意义第10-14页
    1.2 国内外研究现状第14-18页
        1.2.1 IGBT系统杂散参数影响研究第14-15页
        1.2.2 IGBT模块开关瞬态下的温度特性研究第15-16页
        1.2.3 现有IGBT模型简介第16-18页
    1.3 本文的主要工作第18-19页
    1.4 本章小结第19-20页
第2章 IGBT电力电子系统高阶等效电路模型与有限元-电路耦合模型第20-38页
    2.1 杂散参数的提取第20-23页
        2.1.1 杂散参数的影响第20-21页
        2.1.2 杂散参数的计算第21-23页
    2.2 考虑杂散参数的电路模型第23-28页
        2.2.1 考虑杂散参数的高阶电路模型第23页
        2.2.2 IGBT的改进模型第23-25页
        2.2.3 高阶电路降阶技术第25-28页
    2.3 IGBT本体三维电磁场有限元模型第28-34页
        2.3.1 电磁场基本理论第28-31页
        2.3.2 IGBT本体模型第31-34页
    2.4 三维瞬态有限元-电路模型的求解第34-36页
        2.4.1 有限元法第34-35页
        2.4.2 IGBT三维瞬态有限元-电路模型的求解第35-36页
    2.5 本章小结第36-38页
第3章 IGBT三维涡流-温度耦合场模型第38-54页
    3.1 热分析基础知识第38-41页
        3.1.1 热传递的方式第38-40页
        3.1.2 热力学第一定律第40-41页
        3.1.3 热分析的控制方程第41页
    3.2 热分析有限元法第41-43页
    3.3 耦合场分析概述第43-45页
        3.3.1 耦合场有限元分析简述第43-44页
        3.3.2 耦合场分析定义和类型第44页
        3.3.3 耦合场分析方法第44-45页
    3.4 IGBT三维涡流-温度场的数值模型第45-53页
        3.4.1 半导体的热导率第45-49页
        3.4.2 半导体的电阻率第49-51页
        3.4.3 非线性三维涡流-温度耦合场的模型第51-52页
        3.4.4 三维涡流-温度耦合场的数值求解第52-53页
    3.5 本章小结第53-54页
第4章 计算实例与实验验证第54-68页
    4.1 IGBT电力电子系统等效电路模型的瞬态过程计算分析第54-61页
        4.1.1 典型IGBT系统模型高阶电路的降阶模型第54-57页
        4.1.2 典型IGBT系统模型的实验结果与分析第57-61页
    4.2 IGBT电力电子系统有限元模型的计算与分析第61-64页
    4.3 IGBT三维涡流-温度耦合场的计算分析第64-66页
    4.4 本章小结第66-68页
第5章 全文总结第68-70页
参考文献第70-76页
作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文第76页

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