致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 本文的研究背景与学术意义 | 第10-14页 |
1.2 国内外研究现状 | 第14-18页 |
1.2.1 IGBT系统杂散参数影响研究 | 第14-15页 |
1.2.2 IGBT模块开关瞬态下的温度特性研究 | 第15-16页 |
1.2.3 现有IGBT模型简介 | 第16-18页 |
1.3 本文的主要工作 | 第18-19页 |
1.4 本章小结 | 第19-20页 |
第2章 IGBT电力电子系统高阶等效电路模型与有限元-电路耦合模型 | 第20-38页 |
2.1 杂散参数的提取 | 第20-23页 |
2.1.1 杂散参数的影响 | 第20-21页 |
2.1.2 杂散参数的计算 | 第21-23页 |
2.2 考虑杂散参数的电路模型 | 第23-28页 |
2.2.1 考虑杂散参数的高阶电路模型 | 第23页 |
2.2.2 IGBT的改进模型 | 第23-25页 |
2.2.3 高阶电路降阶技术 | 第25-28页 |
2.3 IGBT本体三维电磁场有限元模型 | 第28-34页 |
2.3.1 电磁场基本理论 | 第28-31页 |
2.3.2 IGBT本体模型 | 第31-34页 |
2.4 三维瞬态有限元-电路模型的求解 | 第34-36页 |
2.4.1 有限元法 | 第34-35页 |
2.4.2 IGBT三维瞬态有限元-电路模型的求解 | 第35-36页 |
2.5 本章小结 | 第36-38页 |
第3章 IGBT三维涡流-温度耦合场模型 | 第38-54页 |
3.1 热分析基础知识 | 第38-41页 |
3.1.1 热传递的方式 | 第38-40页 |
3.1.2 热力学第一定律 | 第40-41页 |
3.1.3 热分析的控制方程 | 第41页 |
3.2 热分析有限元法 | 第41-43页 |
3.3 耦合场分析概述 | 第43-45页 |
3.3.1 耦合场有限元分析简述 | 第43-44页 |
3.3.2 耦合场分析定义和类型 | 第44页 |
3.3.3 耦合场分析方法 | 第44-45页 |
3.4 IGBT三维涡流-温度场的数值模型 | 第45-53页 |
3.4.1 半导体的热导率 | 第45-49页 |
3.4.2 半导体的电阻率 | 第49-51页 |
3.4.3 非线性三维涡流-温度耦合场的模型 | 第51-52页 |
3.4.4 三维涡流-温度耦合场的数值求解 | 第52-53页 |
3.5 本章小结 | 第53-54页 |
第4章 计算实例与实验验证 | 第54-68页 |
4.1 IGBT电力电子系统等效电路模型的瞬态过程计算分析 | 第54-61页 |
4.1.1 典型IGBT系统模型高阶电路的降阶模型 | 第54-57页 |
4.1.2 典型IGBT系统模型的实验结果与分析 | 第57-61页 |
4.2 IGBT电力电子系统有限元模型的计算与分析 | 第61-64页 |
4.3 IGBT三维涡流-温度耦合场的计算分析 | 第64-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-68页 |
第5章 全文总结 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-76页 |
作者在攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第76页 |