| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光催化反应基本原理 | 第11-14页 |
| 1.3 常见的半导体催化剂材料体系 | 第14-18页 |
| 1.3.1 光催化材料组成元素 | 第14-15页 |
| 1.3.2 简单金属氧化物半导体催化剂 | 第15-16页 |
| 1.3.3 硫化物半导体催化剂 | 第16页 |
| 1.3.4 氮化物及氮氧化物半导体催化剂 | 第16-17页 |
| 1.3.5 其它盐类半导体催化剂 | 第17-18页 |
| 1.4 半导体催化剂光催化性能的改善途径 | 第18-21页 |
| 1.4.1 半导体能带的调整 | 第18-19页 |
| 1.4.2 电子-空穴对的分离 | 第19-20页 |
| 1.4.3 双光子系统复合 | 第20-21页 |
| 1.5 铌酸盐的制备及光催化研究现状 | 第21-27页 |
| 1.5.1 铌酸盐纳米材料制备 | 第21-25页 |
| 1.5.2 铌酸盐在光催化中研究现状 | 第25-27页 |
| 1.6 本文研究目的和内容 | 第27-29页 |
| 第2章 试验材料及方法 | 第29-34页 |
| 2.1 试验用试剂 | 第29页 |
| 2.2 材料合成方法 | 第29-31页 |
| 2.2.1 熔盐法 | 第29-30页 |
| 2.2.2 水热法 | 第30页 |
| 2.2.3 浸渍法 | 第30-31页 |
| 2.3 分析表征方法 | 第31-34页 |
| 2.3.1 物相表征 | 第31页 |
| 2.3.2 形貌观察和结构分析 | 第31-32页 |
| 2.3.3 光吸收性能分析 | 第32页 |
| 2.3.4 光催化制氢性能分析 | 第32-34页 |
| 第3章 NiO 负载 NaNbO_3纳米线的制备及光催化性能研究 | 第34-53页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 水热法合成 NaNbO_3纳米线工艺研究 | 第34-41页 |
| 3.2.1 Na_2Nb_2O_6·H_2O 纳米线的制备 | 第35-39页 |
| 3.2.2 NaNbO_3纳米线的制备 | 第39-41页 |
| 3.3 NiO 负载 NaNbO_3纳米线的制备及其光催化性能研究 | 第41-46页 |
| 3.3.1 浸渍法负载 NiO 及产物形貌表征 | 第41-43页 |
| 3.3.2 产物光催化性能研究 | 第43-46页 |
| 3.4 固相合成法制备 NaNbO_3及负载NiO 后光催化性能研究 | 第46-51页 |
| 3.4.1 物相分析和形貌的表征 | 第46-48页 |
| 3.4.2 产物光催化性能分析 | 第48-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 NiO 负载 KNbO_3纳米线的制备及光催化性能的研究 | 第53-65页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 KNbO_3纳米线的制备 | 第53-61页 |
| 4.2.1 K_2Nb_8O_(21)纳米线前驱体的制备 | 第53-56页 |
| 4.2.2 KNbO_3纳米线的合成与表征 | 第56-61页 |
| 4.3 NiO 负载 KNbO_3纳米线的制备及其光催化性能研究 | 第61-63页 |
| 4.3.1 浸渍法负载 NiO 及产物形貌表征 | 第61-62页 |
| 4.3.2 产物光催化性能研究 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
