| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| 1.1 存储器的现状与未来 | 第6-7页 |
| 1.2 嵌入式非易失性存储器的现状和未来发展 | 第7-8页 |
| 1.3 论文的主要工作和技术要点 | 第8-9页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第9-10页 |
| 第二章 阻变存储器特性 | 第10-23页 |
| 2.1 阻变存储结构介绍 | 第10-16页 |
| 2.1.1 CuxO阻变存储器的基本结构及其特性 | 第10-12页 |
| 2.1.2 1T1R结构阻变存储器存储单元和操作方式 | 第12-13页 |
| 2.1.3 基于2T2R结构存储单元 | 第13-14页 |
| 2.1.4 多次编程RRAM存储器和一次编程RRAM存储器 | 第14-16页 |
| 2.2 其余嵌入式非易失性存储器特性 | 第16-23页 |
| 2.2.1 嵌入式Flash存储器 | 第16-17页 |
| 2.2.2 浮栅型逻辑非易失性存储器 | 第17-18页 |
| 2.2.3 电子熔丝存储器 | 第18-19页 |
| 2.2.4 反熔丝型非易失性存储器 | 第19-21页 |
| 2.2.5 不同嵌入式非易失性存储器的比较 | 第21-23页 |
| 第三章 用于高速代码存储的阻变存储器的设计 | 第23-52页 |
| 3.1 系统功能描述 | 第23-26页 |
| 3.1.1 基本引脚定义和相关设计指标 | 第24-26页 |
| 3.2 系统模块划分 | 第26-31页 |
| 3.2.1 存储器阵列的设计 | 第26-31页 |
| 3.3 译码逻辑的设计 | 第31-35页 |
| 3.3.1 行译码器的实现 | 第31-35页 |
| 3.4 高压产生电路 | 第35-39页 |
| 3.4.1 高压电荷泵 | 第35-36页 |
| 3.4.2 稳压电路 | 第36-37页 |
| 2.4.3 电荷泵时钟产生电路 | 第37-38页 |
| 3.4.4 电荷泵仿真结果 | 第38-39页 |
| 3.5 读出电路设计 | 第39-42页 |
| 3.5.1 灵敏放大器 | 第39-40页 |
| 3.5.2 读取偏置电路 | 第40-42页 |
| 3.5.3 读取电路仿真结果 | 第42页 |
| 3.6 其余外围电路 | 第42-45页 |
| 3.6.1 输出驱动电路(Output Buffer) | 第43页 |
| 3.6.2 电平转化电路 | 第43-44页 |
| 3.6.3 测试电路的基本结构 | 第44-45页 |
| 3.7 芯片仿真结果 | 第45-48页 |
| 3.7.1 芯片写仿真结果 | 第45-48页 |
| 3.8 存储芯片的版图设计 | 第48-52页 |
| 3.8.1 存储器阵列单元的版图 | 第48-49页 |
| 3.8.2 核心电路的版图 | 第49-51页 |
| 3.8.3 整个芯片的版图 | 第51-52页 |
| 第四章 应用于RFID的低功耗阻变存储器设计 | 第52-67页 |
| 4.1 低功耗存储器系统描述和功能说明 | 第53-58页 |
| 4.1.1 存储器容量的划分 | 第53-54页 |
| 4.1.3 存储器与基带连接端口 | 第54-55页 |
| 4.1.4 存储器的操作时序 | 第55-57页 |
| 4.1.5 存储器的设计指标 | 第57页 |
| 4.1.6 存储器的功能框图 | 第57-58页 |
| 4.2 低功耗阻变存储器设计技术 | 第58-65页 |
| 4.2.1 降低编程功耗的低功耗反馈技术 | 第58-64页 |
| 4.2.2 低功耗的延时电路 | 第64页 |
| 4.2.3 高效率的电荷泵 | 第64-65页 |
| 4.3 芯片的版图 | 第65-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第67页 |
| 5.2 深入工作的设想 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
