| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 多巴胺 | 第11-14页 |
| 1.1.1 多巴胺的简介 | 第11页 |
| 1.1.2 多巴胺的功能 | 第11-12页 |
| 1.1.3 含量异常的多巴胺的危害 | 第12页 |
| 1.1.4 多巴胺的检测方法 | 第12-14页 |
| 1.2 荧光分析法的概述 | 第14页 |
| 1.3 荧光传感器的概述 | 第14-18页 |
| 1.3.1 荧光传感器的分类 | 第15-16页 |
| 1.3.2 量子点荧光传感器的概述 | 第16-18页 |
| 1.4 分子印迹技术 | 第18-21页 |
| 1.4.1 分子印迹技术的概述 | 第18-19页 |
| 1.4.2 分子印迹聚合物的制备 | 第19-20页 |
| 1.4.3 量子点分子印迹荧光传感器 | 第20-21页 |
| 1.5 量子点荧光传感器的最新研究进展 | 第21-24页 |
| 1.5.1 比率型荧光传感器 | 第21-23页 |
| 1.5.2 硼酸类荧光传感器 | 第23-24页 |
| 1.6 选题的意义和研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 硼酸修饰的比率荧光传感器对多巴胺的灵敏度识别及可视化检测 | 第26-39页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-29页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第28页 |
| 2.2.3 CdTeQDs的合成 | 第28页 |
| 2.2.4 CQDs的合成 | 第28-29页 |
| 2.2.5 CdTeQDs-APBA的合成 | 第29页 |
| 2.2.6 DA的荧光及可视化检测 | 第29页 |
| 2.2.7 比率荧光传感器的检出限 | 第29页 |
| 2.3 实验结果与讨论 | 第29-38页 |
| 2.3.1 制备的CQDs和CdTeQDs的表征 | 第29-31页 |
| 2.3.2 CdTeQDs-APBA和CQDs检测体系的合成过程 | 第31-33页 |
| 2.3.3 比率荧光探针的性能分析 | 第33-35页 |
| 2.3.4 离子干扰 | 第35-36页 |
| 2.3.5 比率荧光探针对邻羟基类物质的检测分析 | 第36-37页 |
| 2.3.6 比率荧光探针在实际样品中的应用 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 基于溶胶凝胶法的硼酸化比率荧光传感器对多巴胺的特异性识别及可视化检测 | 第39-52页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 实验部分 | 第40-43页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第40-41页 |
| 3.2.2 实验设备 | 第41页 |
| 3.2.3 CdTeQDs的合成 | 第41页 |
| 3.2.4 CQDs的合成 | 第41页 |
| 3.2.5 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs的合成 | 第41-42页 |
| 3.2.6 DA的荧光及可视化检测 | 第42-43页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
| 3.3.1 制备的CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs的表征 | 第43-44页 |
| 3.3.2 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs测试条件的优化 | 第44-45页 |
| 3.3.3 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs的性能分析 | 第45-48页 |
| 3.3.4 离子干扰 | 第48-49页 |
| 3.3.5 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs对邻羟基类物质的检测分析 | 第49页 |
| 3.3.6 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs在实际样品中的应用 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 基于沉淀聚合法的硼酸化比率荧光传感器对多巴胺的特异性识别及可视化检测 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 实验部分 | 第53-56页 |
| 4.2.1 实验设备 | 第53页 |
| 4.2.2 实验试剂 | 第53-54页 |
| 4.2.3 CdTeQDs的合成 | 第54页 |
| 4.2.4 CQDs和CQDs@SiO_2的合成 | 第54-55页 |
| 4.2.5 CdTeQDs-CQDs@SiO_2@MIPs的合成 | 第55-56页 |
| 4.2.6 DA的荧光及可视化检测 | 第56页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第56-65页 |
| 4.3.1 制备的CdTeQDs-CQDs@SiO_2@MIPs的表征 | 第56-57页 |
| 4.3.2 CdTeQDs-CQDs@SiO_2@MIPs检测条件的优化 | 第57-59页 |
| 4.3.3 CdTeQDs-CQDs@SiO_2@MIPs的性能分析 | 第59-62页 |
| 4.3.4 离子干扰 | 第62-63页 |
| 4.3.5 选择性实验 | 第63-64页 |
| 4.3.6 CQDs-CdTeQDs@SiO_2-MIPs在实际样品中的应用 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论、创新点和进一步的工作建议 | 第66-68页 |
| 5.1 结论 | 第66-67页 |
| 5.2 创新点 | 第67页 |
| 5.3 进一步工作建议 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 | 第84-86页 |
| 附录A 中英文符号对照表 | 第86-87页 |
| 附录B 中英文缩写对照表 | 第87页 |
