| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 InGaN/GaN 量子阱的结构与分类 | 第10-13页 |
| 1.3 InGaN/GaN 量子阱的发展历史与应用 | 第13-15页 |
| 1.4 InGaN/GaN 多量子阱 LED 的简介 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 应变对量子阱的影响 | 第18-28页 |
| 2.1 应变对 InGaN/GaN 量子阱的影响 | 第18-20页 |
| 2.2 纳米柱结构对异质结界面处应力的调制作用 | 第20-25页 |
| 2.2.1 纳米柱制作方法简介 | 第20-24页 |
| 2.2.1.1 纳米压印技术 | 第20-23页 |
| 2.2.1.2 湿法腐蚀 | 第23页 |
| 2.2.1.3 离子束刻蚀 | 第23-24页 |
| 2.2.2 纳米柱对材料应力的调制作用 | 第24-25页 |
| 2.3 InGaN/GaN 多量子阱 LED 的介绍 | 第25-26页 |
| 2.4 单轴应变对 InGaN/GaN 多量子阱 LED 材料中应变的调制作用 | 第26-28页 |
| 第三章 材料的制备与表征手段 | 第28-36页 |
| 3.1 材料的生长技术 | 第28-31页 |
| 3.1.1 分子束外延（MBE）技术 | 第28-30页 |
| 3.1.2 金属有机化学气相外延（MOCVD）技术 | 第30-31页 |
| 3.2 样品性能的表征手段介绍 | 第31-36页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第31-32页 |
| 3.2.2 微区拉曼光谱（Micro-Raman） | 第32-33页 |
| 3.2.3 微区光致发光谱（Micro-PL） | 第33-35页 |
| 3.2.4 时间分辨光谱（TRPL） | 第35-36页 |
| 第四章 Top-Down 纳米柱结构对 InGaN/GaN 量子阱发光特性的影响 | 第36-45页 |
| 4.1 InGaN/GaN 量子阱结构的制备 | 第36-37页 |
| 4.2 Top-Down 纳米柱结构的制备 | 第37-40页 |
| 4.3 InGaN/GaN 量子阱及纳米柱结构的光学性能测试 | 第40-44页 |
| 4.3.1 微区光致发光谱测试 | 第40-41页 |
| 4.3.2 时间分辨光谱测试 | 第41-43页 |
| 4.3.3 微区拉曼散射光谱测试 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 单轴应变对 InGaN/GaN 多量子阱LED器件发光特性的研究 | 第45-55页 |
| 5.1 InGaN/GaN 多量子阱 LED 的制备 | 第45-47页 |
| 5.2 单轴应变器件的制备 | 第47-49页 |
| 5.3 单轴应变对样品微区光致发光谱的影响 | 第49-53页 |
| 5.4 单轴应变对时间分辨光谱的影响 | 第53-54页 |
| 5.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
