| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 半导体存储器简介 | 第13-24页 |
| 1.1.1 传统半导体存储器简介 | 第14-15页 |
| 1.1.2 新兴半导体存储器简介 | 第15-24页 |
| 1.2 铁电基阻变存储器简介 | 第24-32页 |
| 1.2.1 研究历程 | 第24-26页 |
| 1.2.2 器件结构及存储原理 | 第26-27页 |
| 1.2.3 功能层材料及其制备方法 | 第27-32页 |
| 1.3 铁电氧化物薄膜阻变效应的物理机制 | 第32-38页 |
| 1.3.1 极化调节Schottky势垒模型 | 第32-34页 |
| 1.3.2 荷电缺陷调节Schottky势垒模型 | 第34-35页 |
| 1.3.3 荷电缺陷密度改变模型 | 第35-36页 |
| 1.3.4 导电细丝产生/断裂模型 | 第36-37页 |
| 1.3.5 电荷陷阱充放电模型 | 第37-38页 |
| 1.4 铁电氧化物薄膜的氧缺陷 | 第38-40页 |
| 1.4.1 氧缺陷对电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 1.4.2 氧缺陷的形成、分布及其控制 | 第39-40页 |
| 1.5 本文的选题依据及主要内容 | 第40-43页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第40-41页 |
| 1.5.2 主要内容 | 第41-43页 |
| 第2章 氧缺陷浓度对BNT薄膜阻变机理的影响 | 第43-63页 |
| 2.1 引言 | 第43-44页 |
| 2.2 氧气气氛下一次性退火的BNT薄膜的阻变效应研究 | 第44-54页 |
| 2.2.1 BN_(Toxygen)的制备 | 第44-47页 |
| 2.2.2 BN_(Toxygen)的微观结构 | 第47-48页 |
| 2.2.3 BN_(Toxygen)的阻变特性及存储特性 | 第48-50页 |
| 2.2.4 BN_(Toxygen)的阻变机理 | 第50-54页 |
| 2.3 氮气气氛下后退火处理对BNT薄膜阻变效应的影响 | 第54-55页 |
| 2.3.1 BNT_(nitrogen)的后退火处理 | 第54页 |
| 2.3.2 BNT_(nitrogen)的I–V特性 | 第54-55页 |
| 2.4 空气气氛下逐层退火的BNT薄膜的阻变效应研究 | 第55-61页 |
| 2.4.1 BNT_(air)的制备 | 第55-56页 |
| 2.4.2 BNT_(air)的微观结构 | 第56-57页 |
| 2.4.3 BNT_(air)的阻变特性 | 第57-58页 |
| 2.4.4 BNT_(air)的阻变机理 | 第58-61页 |
| 2.5 BNT薄膜阻变机理与氧缺陷浓度的关联模型 | 第61-62页 |
| 2.6 本章小结 | 第62-63页 |
| 第3章 铁电/介电异质结结构强化氧缺陷诱导的阻变行为 | 第63-75页 |
| 3.1 引言 | 第63页 |
| 3.2 BNT/HfO_2的制备 | 第63-65页 |
| 3.3 BNT/HfO_2的微观结构分析 | 第65-66页 |
| 3.4 介电层厚度对BNT/HfO_2的P–V特性的影响 | 第66页 |
| 3.5 BNT/HfO_2的阻变效应研究 | 第66-68页 |
| 3.5.1 阻变特性 | 第66-67页 |
| 3.5.2 存储特性 | 第67-68页 |
| 3.6 BNT/HfO_2阻变行为的强化机理分析 | 第68-74页 |
| 3.6.1 HfO_2介电层的电性能 | 第68-70页 |
| 3.6.2 BNT/HfO_2的C–V特性 | 第70-71页 |
| 3.6.3 BNT/HfO_2的电导机制 | 第71-72页 |
| 3.6.4 BNT/HfO_2的阻温特性 | 第72-73页 |
| 3.6.5 BNT/HfO_2的阻变机理 | 第73-74页 |
| 3.7 本章小结 | 第74-75页 |
| 第4章 无定型晶体结构优化氧缺陷诱导的阻变行为 | 第75-83页 |
| 4.1 引言 | 第75页 |
| 4.2 无定型BNT薄膜的制备 | 第75-76页 |
| 4.3 无定型BNT薄膜的微观结构分析 | 第76-77页 |
| 4.4 无定型BNT薄膜的阻变效应研究 | 第77-79页 |
| 4.4.1 阻变特性 | 第77-78页 |
| 4.4.2 存储特性 | 第78-79页 |
| 4.5 无定型BNT阻变行为的优化机理分析 | 第79-82页 |
| 4.5.1 P–V及C–V特性 | 第79-80页 |
| 4.5.2 电导机制 | 第80-81页 |
| 4.5.3 阻变机理 | 第81-82页 |
| 4.6 本章小结 | 第82-83页 |
| 第5章 多孔结构调制氧缺陷诱导的单极型阻变行为 | 第83-97页 |
| 5.1 引言 | 第83页 |
| 5.2 多孔BNT薄膜的制备 | 第83-85页 |
| 5.3 退火工艺对多孔BNT薄膜微观结构的影响 | 第85-89页 |
| 5.3.1 退火温度对多孔BNT薄膜的微观结构的影响 | 第85-87页 |
| 5.3.2 退火时间对多孔BNT薄膜的微观结构的影响 | 第87-88页 |
| 5.3.3 多孔BNT薄膜的形成机理 | 第88-89页 |
| 5.4 退火工艺对多孔BNT薄膜阻变特性的影响 | 第89-93页 |
| 5.4.1 退火温度对多孔BNT薄膜阻变特性的影响 | 第89-91页 |
| 5.4.2 退火时间对多孔BNT薄膜阻变特性的影响 | 第91-92页 |
| 5.4.3 多孔BNT薄膜的存储特性 | 第92-93页 |
| 5.5 BNT薄膜单极型阻变行为的多孔结构调制机理分析 | 第93-96页 |
| 5.5.1 多孔BNT薄膜的P–V特性 | 第93-94页 |
| 5.5.2 多孔BNT薄膜的电导机制 | 第94-95页 |
| 5.5.3 多孔BNT薄膜的阻变机理 | 第95-96页 |
| 5.6 本章小结 | 第96-97页 |
| 第6章 总结和展望 | 第97-99页 |
| 6.1 全文总结 | 第97-98页 |
| 6.2 工作展望 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第115页 |
