| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 电致变色材料的研究现状 | 第11-14页 |
| 1.3 GZO薄膜的研究现状 | 第14-17页 |
| 1.4 课题主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 样品的制备及表征方法 | 第19-25页 |
| 2.1 GZO薄膜的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.1.1 GZO薄膜的制备过程 | 第19-20页 |
| 2.1.2 实验装置及材料 | 第20页 |
| 2.2 纳米金属氧化物复合材料GZO/V_2O_5的制备方法 | 第20-22页 |
| 2.2.1 样品的制备过程 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验材料 | 第22页 |
| 2.3 样品的结构与性能的表征方法 | 第22-25页 |
| 2.3.1 样品的结构及成分的表征 | 第22-23页 |
| 2.3.2 样品性能表征 | 第23-25页 |
| 第3章 GZO薄膜的制备及其光电性能研究 | 第25-49页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 GZO纳米晶体及薄膜的制备研究 | 第25-29页 |
| 3.2.1 GZO纳米晶体的制备研究 | 第25-27页 |
| 3.2.2 GZO薄膜的制备研究 | 第27-29页 |
| 3.3 紫外曝光与还原性气氛退火对薄膜的影响研究 | 第29-32页 |
| 3.4 掺杂浓度对GZO薄膜结构与性能的影响 | 第32-39页 |
| 3.4.1 掺杂浓度对薄膜结构与形貌的影响 | 第33-36页 |
| 3.4.2 掺杂浓度对薄膜光学性能的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.3 掺杂浓度对薄膜电学性能的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 退火温度对GZO薄膜结构与性能的影响 | 第39-42页 |
| 3.5.1 退火温度对薄膜结构与形貌的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.2 退火温度对薄膜光学性能的影响 | 第41页 |
| 3.5.3 退火温度对薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.6 厚度对GZO薄膜的影响 | 第42-47页 |
| 3.6.1 厚度对薄膜结构与形貌的影响 | 第43-45页 |
| 3.6.2 厚度对薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| 3.6.3 厚度对薄膜电学性能的影响 | 第46-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 GZO/V_2O_5复合材料的制备及其性能研究 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 钒酸盐的制备研究 | 第49-52页 |
| 4.3 GZO纳米晶体的表面化学处理 | 第52-55页 |
| 4.3.1 表面化学处理对薄膜结构及形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.2 表面化学处理对薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.4 GZO/V_2O_5复合材料的制备研究 | 第55-58页 |
| 4.4.1 不同配比的GZO/V_2O_5纳米金属氧化物材料的结构分析 | 第55-57页 |
| 4.4.2 复合材料的光学性能 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
