| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| 1.1 功率VDMOS器件发展与现状 | 第7-10页 |
| 1.2 SPICE及SPICE模型概述 | 第10-12页 |
| 1.3 功率VDMOS器件的SPICE模型发展及研究现状 | 第12-18页 |
| 1.4 本文的研究内容及结构 | 第18-21页 |
| 第二章 功率VDMOS器件的结构和电学特性 | 第21-29页 |
| 2.1 功率VDMOS器件的剖面结构 | 第21-22页 |
| 2.2 功率VDMOS器件的工艺流程 | 第22-24页 |
| 2.3 功率VDMOS器件的直流特性 | 第24-27页 |
| 2.4 功率VDMOS器件的交流特性 | 第27-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 功率VDMOS器件直流特性模型 | 第29-49页 |
| 3.1 功率VDMOS器件沟道区建模 | 第29-39页 |
| 3.2 积累区建模 | 第39-41页 |
| 3.3 寄生JFET区建模 | 第41-44页 |
| 3.4 N-外延层建模 | 第44-47页 |
| 3.5 N+衬底建模 | 第47页 |
| 3.6 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 功率VDMOS器件交流特性模型 | 第49-55页 |
| 4.1 功率VDMOS器件栅漏电容C_(gd)建模 | 第49-51页 |
| 4.2 功率VDMOS器件栅源电容C_(gs)建模 | 第51-52页 |
| 4.3 功率VDMOS器件漏源电容C_(ds)建模 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 功率VDMOS器件SPICE模型的实现与验证 | 第55-67页 |
| 5.1 模型源代码实现 | 第55-56页 |
| 5.2 功率VDMOS器件测试数据获取 | 第56-60页 |
| 5.3 模型参数提取及模型验证 | 第60-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 总结 | 第67页 |
| 6.2 展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 硕士期间取得的成果 | 第75页 |
