| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 论文学术背景 | 第13-18页 |
| 1.1.1 国际上已经发展的双耦合器超导腔及其输入耦合器 | 第13-18页 |
| 1.1.2 本课题的意义 | 第18页 |
| 1.2 论文主要创新点 | 第18-19页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 基本概念 | 第21-29页 |
| 2.1 高频加速腔的基本参数 | 第21-23页 |
| 2.1.1 品质因子 | 第21页 |
| 2.1.2 耦合度 β | 第21-22页 |
| 2.1.3 几何形状因子G | 第22页 |
| 2.1.4 加速电压和加速梯度 | 第22页 |
| 2.1.5 分路阻抗 | 第22-23页 |
| 2.1.6 Ra/Q0 | 第23页 |
| 2.2 输入耦合的介绍 | 第23-25页 |
| 2.3 高频腔的激励响应 | 第25-28页 |
| 2.3.1 稳态情况 | 第25-26页 |
| 2.3.2 功率源关闭瞬间 | 第26页 |
| 2.3.3 功率源开启瞬间 | 第26-27页 |
| 2.3.4 脉冲调制信号激励 | 第27页 |
| 2.3.5 频域响应 | 第27-28页 |
| 2.4 总结 | 第28-29页 |
| 第三章 双输入耦合器的理论模型和优势 | 第29-39页 |
| 3.1 双输入耦合器的理论模型 | 第29-37页 |
| 3.1.1 双端口功率传输 | 第29-31页 |
| 3.1.2 双端口分情况讨论 | 第31-37页 |
| 3.2 双输入耦合器功率传输的优势 | 第37页 |
| 3.3 拓展到多端口 | 第37-38页 |
| 3.4 总结 | 第38-39页 |
| 第四章 双输入的模拟及横向作用力的计算 | 第39-51页 |
| 4.1 双输入的模拟，比较不同配置对耦合度的影响 | 第39-41页 |
| 4.1.1 网格划分的选择 | 第39-40页 |
| 4.1.2 仿真及结果的比较 | 第40-41页 |
| 4.2 耦合度变化不是差异造成的，而是场分布变化造成 | 第41-46页 |
| 4.2.1 单输入耦合器和探针情况 | 第41-44页 |
| 4.2.2 双输入耦合器不含探针情况 | 第44-46页 |
| 4.3 横向作用力的模拟和计算 | 第46-49页 |
| 4.3.1 横向作用力 | 第46页 |
| 4.3.2 构建耦合管中的行波场 | 第46-48页 |
| 4.3.3 横向作用力分布和大小计算 | 第48-49页 |
| 4.4 双输入耦合器有利于偶极模抑制 | 第49-50页 |
| 4.5 总结 | 第50-51页 |
| 第五章 双端功率馈入耦合度测量实验 | 第51-65页 |
| 5.1 实验方案 | 第51-56页 |
| 5.1.1 实验方法和装置 | 第51-53页 |
| 5.1.2 传输线的校正 | 第53-55页 |
| 5.1.3 晶体检波器的线性区间测量 | 第55-56页 |
| 5.2 耦合度调节装置 | 第56-59页 |
| 5.2.1 耦合器 | 第57-58页 |
| 5.2.2 导轨 | 第58页 |
| 5.2.3 滑块和连接件 | 第58-59页 |
| 5.2.4 总体总装图 | 第59页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第59-63页 |
| 5.4 总结 | 第63-65页 |
| 第六章 输入耦合器和功分器的仿真 | 第65-75页 |
| 6.1 输入耦合器的选择 | 第65-66页 |
| 6.1.1 波导型输入耦合器VS同轴型输入耦合器 | 第65-66页 |
| 6.1.2 陶瓷窗 | 第66页 |
| 6.1.3 单陶瓷窗VS双陶瓷窗 | 第66页 |
| 6.2 输入耦合器的模型及优化 | 第66-70页 |
| 6.2.1 同轴-波导转换器的优化 | 第66-67页 |
| 6.2.2 陶瓷窗的优化 | 第67-68页 |
| 6.2.3 过渡段的尺寸选择 | 第68-69页 |
| 6.2.4 最终结果 | 第69-70页 |
| 6.3 内导体顶部的优化 | 第70-73页 |
| 6.3.1 内导体形状的比较 | 第70-71页 |
| 6.3.2 外部品质因子的目标 | 第71-72页 |
| 6.3.3 内导体的优化 | 第72-73页 |
| 6.4 总结 | 第73-75页 |
| 总结和展望 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士期间发表的文章 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |