| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 研究目的和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.1 国内研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 MgNiO薄膜的制备技术及表征方法 | 第14-17页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第14-16页 |
| 2.1.1 磁控溅射 | 第14-15页 |
| 2.1.2 退火处理 | 第15页 |
| 2.1.3 实验材料 | 第15-16页 |
| 2.2 表征方法 | 第16-17页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第16页 |
| 2.2.2 紫外-可见光谱 | 第16页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第16页 |
| 2.2.4 光谱响应测试 | 第16-17页 |
| 第3章 石英衬底上MgNiO薄膜的制备及表征 | 第17-56页 |
| 3.1 工艺参数对MgNiO薄膜性质的影响 | 第17-39页 |
| 3.1.1 氧分压对MgNiO薄膜性质的影响 | 第17-24页 |
| 3.1.2 溅射压强对MgNiO薄膜性质的影响 | 第24-33页 |
| 3.1.3 溅射功率对MgNiO薄膜性质的影响 | 第33-39页 |
| 3.2 退火处理对MgNiO薄膜性质的影响 | 第39-48页 |
| 3.2.1 溅射功率 150W下退火温度对MgNiO薄膜性质的影响 | 第40-45页 |
| 3.2.2 溅射功率 190 W下退火温度对MgNiO薄膜性质的影响 | 第45-48页 |
| 3.3 MgO缓冲层对MgNiO薄膜性质的影响 | 第48-54页 |
| 3.3.1 溅射压强 0.3 Pa下缓冲层对薄膜性质的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.2 溅射压强 0.5Pa下缓冲层对薄膜性质的影响 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第4章 Si衬底上MgNiO薄膜的生长及性质分析 | 第56-64页 |
| 4.1 无缓冲层Si衬底上MgNiO薄膜的生长 | 第56-60页 |
| 4.2 Cu缓冲层Si衬底上MgNiO薄膜的生长 | 第60-61页 |
| 4.3 MgO缓冲层Si衬底上MgNiO薄膜的生长 | 第61-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 MgNiO基光电器件制备及性质分析 | 第64-68页 |
| 5.1 MgNiO基光电器件制备及测量 | 第64-66页 |
| 5.2 MgNiO基光电器件光谱响应 | 第66-67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
