| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| ·量子控制的发展简史及研究现状 | 第8-11页 |
| ·量子计算与量子控制的关系 | 第11-13页 |
| ·量子退相干 | 第13-18页 |
| ·量子退相干的基本概念和研究意义 | 第13页 |
| ·退相位量子模型退相干的密度矩阵描述 | 第13-16页 |
| ·一般量子模型退相干的密度矩阵描述 | 第16-18页 |
| ·本文要做的工作 | 第18-20页 |
| 第二章 经典模型系统结合自旋回波技术（Spin Echo）实现精确的量子控制 | 第20-25页 |
| ·经典模型系统的哈密顿量 | 第20-21页 |
| ·经典模型翻转轴（施加p 脉冲的方向）位置的猜想 | 第21-22页 |
| ·经典模型翻转轴的位置的证明 | 第22-25页 |
| 第三章 中心自旋与周围环境的量子模型（微扰处理） | 第25-46页 |
| ·总系统哈密顿量的winkler对角化 | 第25-28页 |
| ·Winkler对角化变换方法 | 第25-27页 |
| ·算符S的具体形式 | 第27-28页 |
| ·包含二阶微扰项的系统哈密顿量的形式 | 第28-35页 |
| ·对角线上的二阶微扰项修正 | 第30-31页 |
| ·非对角线上的二阶微扰项修正 | 第31-35页 |
| ·量子系统单样品的CCE处理 | 第35-42页 |
| ·量子系统系综的CCE处理 | 第42-46页 |
| ·系综的CCE思想 | 第42页 |
| ·集团关联展开的一般形式及各集团的哈密顿量 | 第42-46页 |
| 第四章 中心自旋与周围环境的量子模型（非微扰） | 第46-59页 |
| ·非微扰量子系统单样品的CCE理论的各阶哈密顿量 | 第46-48页 |
| ·计算量子系统末态相干度的两种方法 | 第48-55页 |
| ·计算量子系统末态相干度的第一种方法 | 第48-50页 |
| ·计算量子系统末态相干度的第二种方法 | 第50-55页 |
| ·非微扰量子系统单样品处理结果 | 第55-57页 |
| ·小量子系统的单样品处理结果 | 第57-58页 |
| ·小量子系统的系综处理结果 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65-66页 |