GaN和GaAs核辐射探测器的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·核辐射探测器 | 第11-15页 |
| ·气体核辐射探测器 | 第13页 |
| ·闪烁体核辐射探测器 | 第13-14页 |
| ·半导体核辐射探测器 | 第14-15页 |
| ·GaN 及 GaAs 物理化学性质 | 第15-18页 |
| ·GaN 及 GaAs 核探测器研究进展 | 第18-19页 |
| ·本文的研究内容 | 第19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 2 核辐射探测器与核电池原理及结构设计 | 第21-41页 |
| ·GaN 及 GaAs 核辐射探测器 | 第21-22页 |
| ·β辐射伏特效应核电池 | 第22-24页 |
| ·核辐射探测器材料选择 | 第24-27页 |
| ·核辐射探测器材料选择 | 第24-26页 |
| ·材料生长 | 第26-27页 |
| ·材料表征—Χ-ray 衍射(ΧRD) | 第27-30页 |
| ·核辐射探测器结构设计及光刻板版图设计 | 第30-31页 |
| ·核辐射探测器结构设计 | 第30-31页 |
| ·光刻板版图设计 | 第31页 |
| ·核辐射探测器的关键工艺 | 第31-34页 |
| ·光刻 | 第31-33页 |
| ·表面钝化工艺 | 第33-34页 |
| ·核辐射探测器及核电池性能参数 | 第34-40页 |
| ·半导体核辐射探测器性能参数 | 第34-37页 |
| ·半导体核电池性能参数 | 第37-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 3 核辐射器件制备 | 第41-48页 |
| ·GaN 核器件工艺流程 | 第41-44页 |
| ·GaAs 核辐射探测器工艺流程 | 第44-46页 |
| ·主要设备简介 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 核辐射器件的性能测试 | 第48-62页 |
| ·核辐射器件电学性能测试 | 第48-52页 |
| ·电流-电压特性测试系统介绍 | 第48-52页 |
| ·核辐射探测器辐射响应测试 | 第52-58页 |
| ·Χ-ray 测试 | 第52-54页 |
| ·α 粒子响应测试 | 第54-58页 |
| ·核电池性能测试 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 5 中子转换层材料 | 第62-69页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·中子探测原理 | 第62-65页 |
| ·中子与物质的相互作用 | 第63-65页 |
| ·中子转换层的制备 | 第65-67页 |
| ·~6LiF 中子探测中的性能测试 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 6 总结与展望 | 第69-71页 |
| ·论文总结 | 第69-70页 |
| ·未来展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 附录A | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
