| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-27页 |
| ·拓扑绝缘体的发展 | 第10-15页 |
| ·量子霍尔效应 | 第10-12页 |
| ·二维自旋霍尔绝缘体 | 第12-13页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第13-15页 |
| ·拓扑绝缘体相关材料的介绍与制备 | 第15-17页 |
| ·二维绝缘体相关材料的介绍及制备 | 第15-16页 |
| ·三维绝缘体材料的介绍及制备 | 第16-17页 |
| ·缺陷与掺杂在拓扑绝缘体相关材料中的研究现状 | 第17-21页 |
| ·缺陷与掺杂研究的重要性 | 第17-19页 |
| ·缺陷与掺杂在二维拓扑绝缘体相关材料中的研究 | 第19-20页 |
| ·缺陷与掺杂在三维拓扑绝缘体材料中的研究 | 第20-21页 |
| ·MS_2(M=MO，W) | 第21-25页 |
| ·二维MS_2(M=Mo，W)的制备 | 第22-23页 |
| ·二维MS_2(M=Mo，W)的性质与应用 | 第23-24页 |
| ·掺杂与缺陷对二维MS2(M=Mo，W)的调制 | 第24-25页 |
| ·应力对二维MS2(M=Mo，W)的调制 | 第25页 |
| ·本论文的选题依据及主要内容 | 第25-27页 |
| 第2章 理论与方法 | 第27-36页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-31页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第27-28页 |
| ·Kohn-sham方程 | 第28-29页 |
| ·交换关联泛函(GGA和LDA) | 第29-31页 |
| ·赝势方法 | 第31页 |
| ·计算细节与分析模型 | 第31-36页 |
| ·vasp软件包 | 第31-32页 |
| ·缺陷形成能与动力学能级 | 第32页 |
| ·复合杂质的束缚能 | 第32页 |
| ·引入的修正 | 第32-34页 |
| ·AIM理论电荷统计 | 第34页 |
| ·态密度 | 第34-35页 |
| ·能带结构 | 第35-36页 |
| 第3章 拓扑绝缘体材料Bi_2Se_3中的缺陷与掺杂效应 | 第36-53页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·Bi_2Se_3材料中的本征缺陷效应 | 第36-43页 |
| ·本征缺陷的选取意义 | 第36-37页 |
| ·计算方法与模型 | 第37-39页 |
| ·本征缺陷电子效应 | 第39页 |
| ·本征缺陷稳定性分析 | 第39-42页 |
| ·本征缺陷的浓度与态密度分析 | 第42-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| ·CdBi/CaBi掺杂对费米能级的调节 | 第43-51页 |
| ·CdBi/CaBi掺杂的选取意义 | 第43-44页 |
| ·计算方法与模型 | 第44页 |
| ·CdBi掺杂对费米能级的调节 | 第44-48页 |
| ·CaBi掺杂对费米能级的调节 | 第48-50页 |
| ·CdBi/CaBi掺杂的浓度与态密度分析 | 第50-51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| ·总结 | 第51-53页 |
| 第4章 拓扑绝缘体相关材料Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的复合杂质效应 | 第53-70页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中nH-V_(Hg)(n=1,2,3,4)复合杂质效应 | 第53-62页 |
| ·Hg空位的选取意义 | 第53-54页 |
| ·计算方法与模型 | 第54-55页 |
| ·H间隙和1H-V_(Hg)复合杂质的几何结构 | 第55-57页 |
| ·H间隙和1H-V_(Hg)复合杂质的电子效应 | 第57-60页 |
| ·nH-V_(Hg)(n=2,3,4)复合杂质的电子效应 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62页 |
| ·Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中nH-Te_(Hg)(n=1,2)复合杂质效应 | 第62-69页 |
| ·Te替Hg位的选取意义 | 第62页 |
| ·计算方法与模型 | 第62-63页 |
| ·Te_(Hg)和1H-Te_(Hg)复合杂质的几何结构 | 第63-65页 |
| ·Te_(Hg)和1H-Te_(Hg)复合杂质的电子效应 | 第65-67页 |
| ·nH-Te_(Hg)(n=2)复合杂质的电子效应 | 第67-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| ·总结 | 第69-70页 |
| 第5章 应变对单层DSVD-MS_2(M=Mo，W)材料结构和磁性的调控 | 第70-84页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·计算方法与模型 | 第71-72页 |
| ·应变对单层DSVD-MOS_2材料结构和磁性的调控 | 第72-78页 |
| ·应变对单层DSVD-MoS_2材料结构的调控 | 第72-74页 |
| ·应变对单层DSVD-MoS_2材料磁性的调控 | 第74-75页 |
| ·单层DSVD-MoS_2材料过渡态磁矩分布 | 第75-78页 |
| ·小结 | 第78页 |
| ·应力对单层DSVD-WS_2材料结构和磁性的调控 | 第78-83页 |
| ·应力对单层DSVD-WS_2材料结构的调控 | 第78-80页 |
| ·应力对单层DSVD-WS_2材料磁性的调控 | 第80-81页 |
| ·单层DSVD-WS_2材料过渡态磁矩分布 | 第81-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·总结 | 第83-84页 |
| 第6章 总结与展望 | 第84-86页 |
| ·总结 | 第84页 |
| ·展望 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 攻读学位期间完成的学术论文及研究成果 | 第97-98页 |
