氧化亚铜薄膜的制备及其光催化性能的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·课题研究背景 | 第11-12页 |
| ·半导体光催化技术 | 第12-16页 |
| ·半导体光催化基本机理 | 第12-13页 |
| ·光催化反应性能的影响因素 | 第13-15页 |
| ·半导体光催化研究现状 | 第15页 |
| ·半导体光催化的发展趋势 | 第15-16页 |
| ·氧化亚铜薄膜的制备、性质及在光催化中的应用 | 第16-20页 |
| ·氧化亚铜的基本物理性质 | 第16页 |
| ·氧化亚铜的晶体结构 | 第16-17页 |
| ·氧化亚铜在光催化中的应用 | 第17页 |
| ·氧化亚铜薄膜的制备方法 | 第17-20页 |
| ·本论文选题研究目的、意义及创新点 | 第20-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-27页 |
| ·实验仪器 | 第23页 |
| ·实验药品 | 第23-24页 |
| ·实验工艺 | 第24-25页 |
| ·样品表征及分析方法 | 第25-26页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第25页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第25页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第25-26页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化降解甲基橙溶液 | 第26-27页 |
| ·主要实验设备 | 第26页 |
| ·实验方法 | 第26-27页 |
| 第三章 氧化亚铜薄膜制备结果及讨论 | 第27-41页 |
| ·络合剂添加量的影响 | 第27-30页 |
| ·不同 Cu~2+浓度的影响 | 第30-33页 |
| ·不同沉积温度的影响 | 第33-37页 |
| ·沉积液 pH 的影响 | 第37-38页 |
| ·氧化亚铜薄膜光学性质的研究 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 反应过程及形貌变化机理探讨 | 第41-45页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·氧化亚铜薄膜沉积过程 | 第42-43页 |
| ·氧化亚铜薄膜形貌变化机理 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 氧化亚铜薄膜光催化反应性能研究 | 第45-56页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化剂的选择 | 第45-47页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化降解甲基橙的性能研究 | 第47-50页 |
| ·空白对比实验 | 第47-48页 |
| ·不同 H_2O_2添加量对光催化性能的影响 | 第48-49页 |
| ·不同 pH 值对光催化性能的影响 | 第49-50页 |
| ·不同染料浓度对光催化性能的影响 | 第50页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化光催化机理研究 | 第50-52页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化降解动力学分析 | 第52-53页 |
| ·氧化亚铜薄膜光催化剂的重复使用性能 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文情况 | 第68页 |
