Mo掺杂In2O3薄膜的电磁性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·稀磁半导体研究概况 | 第11-17页 |
| ·稀磁半导体研究背景 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体磁性来源理论模型 | 第13-17页 |
| ·双交换理论 | 第13-14页 |
| ·超交换理论 | 第14页 |
| ·RKKY理论 | 第14-15页 |
| ·平行场理论 | 第15-16页 |
| ·BMP理论 | 第16-17页 |
| ·稀磁半导体薄膜制备方法 | 第17-20页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第17页 |
| ·分子束外延法(MBE) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19页 |
| ·溅射技术 | 第19-20页 |
| ·蒸发技术 | 第20页 |
| ·稀磁半导体薄膜的应用前景 | 第20-21页 |
| ·本论文研究的意义及创新点 | 第21-22页 |
| ·本论文研究的意义 | 第21-22页 |
| ·研究内容及创新点 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-35页 |
| ·Mo掺杂In_2O_3块体的固相烧结制备 | 第23-25页 |
| ·固相烧结简介 | 第23-24页 |
| ·实验药品和设备 | 第24-25页 |
| ·实验药品 | 第25页 |
| ·实验设备 | 第25页 |
| ·靶材制备 | 第25页 |
| ·电子束真空蒸镀制备Mo掺杂In_2O_3薄膜 | 第25-28页 |
| ·电子束真空蒸镀方法介绍 | 第25-27页 |
| ·实验原料和设备 | 第27-28页 |
| ·实验原料 | 第27页 |
| ·实验设备 | 第27页 |
| ·薄膜制备 | 第27-28页 |
| ·样品的表征 | 第28-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第29-30页 |
| ·膜厚测试仪 | 第30-31页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第31-32页 |
| ·霍尔效应测试系统 | 第32页 |
| ·振动样品磁强计 | 第32-33页 |
| ·紫外-可见分光光度仪 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 Mo掺杂In_2O_3单相性薄膜的制备 | 第35-44页 |
| ·掺杂浓度 | 第35-37页 |
| ·掺杂浓度对结构的影响 | 第35-36页 |
| ·掺杂浓度对表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| ·基底温度 | 第37-39页 |
| ·基底温度对结构的影响 | 第37-38页 |
| ·基底温度对表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| ·气氛 | 第39-41页 |
| ·气氛对结构的影响 | 第39-40页 |
| ·气氛对表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·蒸镀时间 | 第41-43页 |
| ·蒸镀时间对结构的影响 | 第41-42页 |
| ·蒸镀时间对表面形貌的影响 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究 | 第44-56页 |
| ·基底温度 | 第44-46页 |
| ·基底温度对电性能的影响 | 第44-45页 |
| ·基底温度对磁性能的影响 | 第45-46页 |
| ·气氛 | 第46-49页 |
| ·气氛对电性能的影响 | 第46-47页 |
| ·气氛对磁性能的影响 | 第47-48页 |
| ·气氛对光性能的影响 | 第48-49页 |
| ·蒸镀时间 | 第49-52页 |
| ·蒸镀时间对电输运性能的影响 | 第49-50页 |
| ·蒸镀时间对磁性能的影响 | 第50-51页 |
| ·蒸镀时间对光性能的影响 | 第51-52页 |
| ·掺杂浓度 | 第52-54页 |
| ·掺杂浓度对电输运性能的影响 | 第53页 |
| ·掺杂浓度对磁性能的影响 | 第53-54页 |
| ·磁性能分析 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第56页 |
| ·展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
