| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-27页 |
| ·研究背景和意义 | 第10-11页 |
| ·拓扑绝缘能带理论 | 第11-14页 |
| ·绝缘态 | 第11-12页 |
| ·量子霍尔效应 | 第12-13页 |
| ·Z_2拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| ·量子自旋霍尔绝缘体 | 第14-17页 |
| ·石墨烯模型系统 | 第14-15页 |
| ·HgCdTe量子势阱结构 | 第15-17页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第17-24页 |
| ·强拓扑绝缘体和弱拓扑绝缘体 | 第17-18页 |
| ·第一代三维拓扑绝缘体材料 | 第18-20页 |
| ·第二代三维拓扑绝缘体材料 | 第20-24页 |
| ·Bi_2Se_3基材料的研究进展 | 第24-25页 |
| ·Bi_2Se_3的晶体结构 | 第24-25页 |
| ·Bi_2Se_3三维拓扑绝缘体的研究现状 | 第25页 |
| ·本论文选题的目的和研究内容 | 第25-27页 |
| 第2章 研究方法和实验设备 | 第27-31页 |
| ·Bi_2Se_3多晶块体材料的制备方法 | 第27页 |
| ·Bi_2Se_3多晶块体材料的结构表征 | 第27-28页 |
| ·物相组成分析 | 第27页 |
| ·显微结构分析 | 第27-28页 |
| ·Bi_2Se_3多晶块体材料的电热输运性能测试 | 第28-31页 |
| ·Seebeck系数测试 | 第28-29页 |
| ·电导率测试 | 第29-30页 |
| ·热导率测量 | 第30-31页 |
| 第3章 过量Se对Bi_2Se_3化合物电热输运特性的影响 | 第31-38页 |
| ·Se过量Bi_2Se_(3+x)化合物的制备 | 第31页 |
| ·Se过量Bi_2Se_(3+x)化合物物相组成 | 第31-32页 |
| ·Se过量Bi_2Se_(3+x)化合物的电热输运特性 | 第32-36页 |
| ·电导率 | 第32页 |
| ·Seebeck系数 | 第32-33页 |
| ·功率因子 | 第33-34页 |
| ·热导率 | 第34-36页 |
| ·ZT值 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 Bi位Yb掺杂Bi_2Se_3多晶材料的制备和拓扑绝缘电输运特性 | 第38-46页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_2Se_3材料的制备 | 第38页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_2Se_3材料的物相组成和显微结构 | 第38-40页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_2Se_3材料的电热输运特性 | 第40-44页 |
| ·电导率 | 第40页 |
| ·Seebeck系数 | 第40-41页 |
| ·热导率 | 第41-43页 |
| ·ZT值 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 Bi位Yb掺杂Bi_2Se_3单晶材料的生长工艺探索 | 第46-53页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_(2-x)Yb_xSe_3单晶材料的制备 | 第46页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_(2-x)Yb_xSe_3多晶材料的制备 | 第46页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_(2-x)Yb_xSe_3材料的单晶生长 | 第46页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_(2-x)Yb_xSe_3材料的单晶生长工艺 | 第46-48页 |
| ·单晶生长的温场分布和熔料温度确定 | 第46页 |
| ·单晶生长的工艺参数优化 | 第46-48页 |
| ·Bi位Yb掺杂Bi_(2-x)Yb_xSe_3单晶材料的表征 | 第48-52页 |
| ·单晶化学成分 | 第48页 |
| ·密封条件对单晶质量的影响 | 第48-51页 |
| ·生长速率对单晶质量的影响 | 第51页 |
| ·钳埚转速对单晶质量的影响 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第6章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 硕士期间发表论文 | 第59页 |
