| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GMI 效应研究 | 第10-11页 |
| ·GMI 效应基本理论 | 第11-12页 |
| ·影响 GMI 效应的相关因素 | 第12-14页 |
| ·GMI 效应与磁各向异性的关系 | 第12-13页 |
| ·GMI 效应与驱动频率的关系 | 第13页 |
| ·GMI 效应与磁致伸缩的关系 | 第13页 |
| ·GMI 效应与温度的关系 | 第13-14页 |
| ·国内外 GMI 传感器的研究现状及前景 | 第14-15页 |
| ·GMI 传感器研究现状 | 第14-15页 |
| ·发展前景 | 第15页 |
| ·本课题研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 GMI 效应的改善及材料性能的表征 | 第17-22页 |
| ·GMI 效应的改善 | 第17-19页 |
| ·退火处理 | 第17-18页 |
| ·表面处理 | 第18-19页 |
| ·非晶材料物理特性测量 | 第19页 |
| ·非晶相鉴定 | 第19页 |
| ·表面形貌 | 第19页 |
| ·磁性测量 | 第19页 |
| ·GMI 效应测量方式 | 第19-22页 |
| ·传统的测量方式 | 第20页 |
| ·非对角测量方式 | 第20页 |
| ·两种测量方式的比较 | 第20-22页 |
| 第三章 埋入式非对角传感器探头的设计 | 第22-33页 |
| ·几种典型的巨磁阻抗传感器探头结构 | 第22-23页 |
| ·埋入式器件简介 | 第23-25页 |
| ·埋入式器件的发展 | 第23页 |
| ·几种典型的埋入式器件结构设计 | 第23-25页 |
| ·埋入式非对角 GMI 传感器探头的优化 | 第25-30页 |
| ·模型的建立及数值推导 | 第25-27页 |
| ·不同薄带长度的影响 | 第27-28页 |
| ·不同线圈匝数的影响 | 第28-29页 |
| ·不同线圈直径的影响 | 第29-30页 |
| ·埋入式非对角 GMI 电流传感器探头设计 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 CO 基非晶薄带巨磁阻抗效应的改善 | 第33-51页 |
| ·敏感材料的选取 | 第33-34页 |
| ·CoFe_2O_4涂层对薄带 GMI 效应的影响（基片不加热） | 第34-38页 |
| ·实验方法 | 第34-35页 |
| ·结果分析 | 第35-38页 |
| ·CoFe_2O_4涂层对薄带 GMI 效应的影响（基片加热） | 第38-44页 |
| ·基片温度对薄带 GMI 效应的影响 | 第38-41页 |
| ·溅射气压对薄带 GMI 效应的影响 | 第41-43页 |
| ·溅射时间对薄带 GMI 效应的影响 | 第43-44页 |
| ·直流焦耳热退火对薄带 GMI 效应的影响 | 第44-50页 |
| ·单段式直流焦耳热退火 | 第44-47页 |
| ·两段式直流焦耳热退火 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 传感器信号处理电路设计 | 第51-59页 |
| ·GMI 电流传感器工作原理 | 第51页 |
| ·传感器处理电路设计 | 第51-56页 |
| ·Colpitts 振荡电路 | 第52-53页 |
| ·前置放大电路 | 第53-54页 |
| ·有源带通滤波电路 | 第54-55页 |
| ·峰值检波与差动放大电路 | 第55-56页 |
| ·测试结果与分析 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第64-65页 |