铁酸铋薄膜阻变性能与Nb掺杂改性研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·铁电材料 | 第9-11页 |
| ·铁电体 | 第9-10页 |
| ·BiFeO_3介绍 | 第10-11页 |
| ·存储器介绍 | 第11-16页 |
| ·Flash存储器 | 第11-12页 |
| ·铁电存储器FeRAM | 第12-13页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第13-14页 |
| ·多铁器件 | 第14页 |
| ·相变存储器 | 第14-16页 |
| ·阻变存储器介绍 | 第16-17页 |
| ·阻变存储器机理 | 第17-24页 |
| ·机理简介 | 第17-20页 |
| ·界面接触机制 | 第20-22页 |
| ·导电细丝模型 | 第22-24页 |
| ·课题目的与意义 | 第24-25页 |
| 第二章 样品制备及分析方法 | 第25-35页 |
| ·薄膜制备方法 | 第25-28页 |
| ·磁控溅射法 | 第25页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第25-26页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第26-28页 |
| ·PLD法制备薄膜生长工艺 | 第28-29页 |
| ·电极制备 | 第29-30页 |
| ·分析方法 | 第30-35页 |
| ·物相分析 | 第30-31页 |
| ·扫描探针显微镜(SPM) | 第31-34页 |
| ·电学性能测试 | 第34-35页 |
| 第三章 铁酸铋薄膜阻变效应 | 第35-56页 |
| ·铁酸铋(BiFeO_3)薄膜样品制备 | 第35-39页 |
| ·靶材制备 | 第35-36页 |
| ·BiFeO_3薄膜制备 | 第36-37页 |
| ·薄膜制备中遇到的问题 | 第37-39页 |
| ·薄膜性能测试表征 | 第39-44页 |
| ·薄膜形貌 | 第39-42页 |
| ·物相表征 | 第42-44页 |
| ·单、双极阻变研究及分析 | 第44-53页 |
| ·薄膜的铁电性 | 第44-45页 |
| ·薄膜的I-V特性 | 第45-53页 |
| ·阻变关系 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 BiFeO_3掺杂性能研究 | 第56-64页 |
| ·样品制备 | 第56-57页 |
| ·靶材制备 | 第56页 |
| ·薄膜制备 | 第56-57页 |
| ·XRD分析 | 第57页 |
| ·压电性能分析 | 第57-61页 |
| ·BiFeO_3压电性能 | 第57-59页 |
| ·BiFe_xNb_(1-x)O_3压电性能 | 第59-61页 |
| ·BiFe_xNb_(1-x)O_3薄膜电学性能 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 总结 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 附录 | 第71页 |
