| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究意义及目的 | 第11-14页 |
| ·超结功率器件的提出 | 第14-17页 |
| ·纵向超结结构（Vertical Super junction structure） | 第15-16页 |
| ·半超结结构（Semi-Super junction structure） | 第16页 |
| ·横向超结结构（Lateral SJ Structure） | 第16-17页 |
| ·SJ LDMOS 发展现状 | 第17-21页 |
| ·非平衡 SJ LDMOS（Unbalanced SJ LDMOS） | 第18页 |
| ·SJ/R LDMOS | 第18-19页 |
| ·采用 N 型缓冲层的 SJ LDMOS | 第19-20页 |
| ·部分 N 埋层 SJ LDMOS | 第20页 |
| ·阶梯掺杂 SJ LDMOS | 第20-21页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 基于电荷平衡理论的阶梯 SJ LDMOS 特性研究 | 第23-32页 |
| ·Step-SJ LDMOS 器件结构与工作原理 | 第23-25页 |
| ·SSJ LDMOS 的电荷平衡仿真验证与分析 | 第25-29页 |
| ·通态特性 | 第25-26页 |
| ·阻断特性 | 第26页 |
| ·电荷平衡研究 | 第26-29页 |
| ·SSJ LDMOS 结构参数特性分析 | 第29-30页 |
| ·阶梯位置偏移的影响 | 第29页 |
| ·阶梯宽度的影响 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 OB LDMOS 仿真验证 | 第32-43页 |
| ·OB LDMOS 器件结构与工作原理 | 第32-34页 |
| ·仿真结果的分析与讨论 | 第34-39页 |
| ·器件结构电学特性分析 | 第36-38页 |
| ·OB LDMOS 器件结构参数特性研究 | 第38-39页 |
| ·GOB LDMOS、SJ LDMOS、OB LDMOS 仿真对比与验证分析 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 集成肖特基接触的 SJ LDMOS 器件研究 | 第43-51页 |
| ·器件结构及工作原理 | 第44-45页 |
| ·仿真结果的分析与讨论 | 第45-50页 |
| ·阻断特性 | 第45-46页 |
| ·输出特性 | 第46页 |
| ·反向恢复特性 | 第46-47页 |
| ·温度效应 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
