| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-19页 |
| ·超导体的发展历史 | 第7-9页 |
| ·超导体的的迈斯纳效效应 | 第9-10页 |
| ·高温超导体YBCO 及其性质 | 第10-11页 |
| ·YBCO 膜的各种制备方法 | 第11-15页 |
| ·YBCO 的主要应用领域 | 第15-17页 |
| ·本论文的研究意义 | 第17页 |
| ·本论文的研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 YBCO 外延膜的光辅助MOCVD 生长方法及表征手段 | 第19-34页 |
| ·用于YBCO 外延膜生长的光辅助MOCVD 系统 | 第19-29页 |
| ·选择MOCVD 法的原因 | 第19-20页 |
| ·光辅助MOCVD 法的介绍 | 第20-25页 |
| ·YBCO 外延生长所用的衬底及源材料 | 第25-27页 |
| ·YBCO 膜的生长过程 | 第27-29页 |
| ·YBCO 膜的表征手段 | 第29-34页 |
| 第三章 进气方式对1 英寸YBCO 外延膜的影响 | 第34-59页 |
| ·实验所用两台光辅助MOCVD 系统 | 第34-38页 |
| ·气流模拟 | 第38-45页 |
| ·对单一进气口垂直石英反应室的计算机模拟 | 第39-43页 |
| ·单一倾斜进气口不锈钢反应室计算机模拟 | 第43-45页 |
| ·垂直进气与倾斜进气对薄膜质量影响 | 第45-49页 |
| ·纯c 轴取向YBCO 外延膜表面山头的形成与去除 | 第49-59页 |
| ·山头的分布及组分 | 第49-51页 |
| ·山头的形成过程 | 第51-55页 |
| ·山头的去除 | 第55-59页 |
| 第四章 双面YBCO 外延膜的制备 | 第59-75页 |
| ·生长方法设计 | 第59-62页 |
| ·双面同时生长方案 | 第59-60页 |
| ·双面分别生长方案 | 第60-62页 |
| ·单面膜的两次生长 | 第62-64页 |
| ·双面膜的生长 | 第64-69页 |
| ·薄膜生长步骤 | 第64-67页 |
| ·实验中遇到的问题 | 第67-69页 |
| ·双面 YBCO 外延膜的生长及薄膜性质表征 | 第69-75页 |
| ·两面生长温度相同时双面膜的性质 | 第69-71页 |
| ·第一面生长温度进行调整后的双面膜性质 | 第71-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 摘要 | 第83-85页 |
| Abstract | 第85-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
